[问答]

米勒效应问题

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问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 【不懂就问】看到ti的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话 “开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导通时，下管的电压会以较高的dv/dt上升，IGBT的反向传输电容与输入电容之比增加会增加米勒效应，噪声会从集电极耦合到栅极，此操作会在下管栅极引入电流，会使下管误导通” 【1】自己查了一下米勒效应，是说在反相放大电路中，输入输出之间的分布电容或者寄生电容由于放大器的方法作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+k倍，k是增益。那么米勒效应和上面说的IGBT的正方向电容怎么联系上？【2】位移电流是如何而来，因为突然说到位移电流，有点懵？【3】上管导通时，为什么下管的dv/dt会变高，下管不是关闭的吗？【4】电容比增加，噪声从集电极耦合到栅极？电容不是去耦吗？ 0 奖励19积分
2017-12-21 09:01:45　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 张程明该类别下有 100 个回答。邀请回答 jf_50240986 该类别下有 84 个回答。邀请回答 shaorc 该类别下有 73 个回答。邀请回答 Music 该类别下有 72 个回答。邀请回答 leetow2006 该类别下有 64 个回答。邀请回答王尚岱该类别下有 43 个回答。邀请回答 CCCLLL 该类别下有 41 个回答。邀请回答 mintsy 该类别下有 39 个回答。邀请回答梅利号该类别下有 38 个回答。邀请回答 wp2010abc 该类别下有 36 个回答。邀请回答熊本熊该类别下有 33 个回答。邀请回答河神大人该类别下有 33 个回答。邀请回答硬件工程师1 该类别下有 32 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答哔哔哔- 该类别下有 32 个回答。邀请回答奇牙虎威该类别下有 31 个回答。邀请回答 Duke 该类别下有 28 个回答。邀请回答 chunhuahua 该类别下有 27 个回答。邀请回答 siyugege 该类别下有 27 个回答。邀请回答谢新貌该类别下有 27 个回答。邀请回答阿城138 该类别下有 26 个回答。邀请回答举报 shaorc 相关推荐 • 米勒效应的本质是什么？ 1951 • 请问三极管存在米勒效应吗？ 2237 • 驱动电源阶跃响应请问场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，是否需要增大前级驱动电流？ 3706 • 请问MOS管与IGBT都有GS米勒效应吗？ 1919 • 米勒平台是如何形成的？是什么工作原理？ 11655 • IGBT在关断的时候，出现这个波形，是怎么回事呢？是米勒效应吗？ 14673 • 哪位大神知道三极管的现象是怎么回事 1756 • MOSFET在快速关短过程中，驱动电压VGS会在米勒电平处震荡很厉害？请问有解决措施吗？ 10477 • 米勒补偿电容过大为什么会引起相位裕度突然上升？ 2152 • 碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驱动碳化硅场效应管？ 11782 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 感觉楼主问题描述的不够清楚啊，是不是在GE直接增加一个电容Cge来实现米勒嵌位，然后这种方式可能出现的问题分析？按照问题分析假设为关断IGBT时进行分析，CG间耦合电容为Ccg，则此时位移电流为I=Ccg（dVce/dt），当该位移电流流过Cge时，如果电流过大可能使Vge大于Vge（th），此时下管会导通，然后对应到问题 1、你可以搜下IGBT器件的开关阶段分析，就比较容易理解了 2、交变电流是有位移的概念的，位移电流就是上管关断后产生的 3、上管从导通到关闭，会有放电过程，放电电流I=Ccg（dVce/dt），可能导致下管导通，见上 4、电容增加相当于对高频的阻抗更小，而噪声一般趋向高频影响，可以参考下振荡器的起振过程就是噪声引入起振个人理解有限，仅供参考，有高手发现错误的话麻烦再指教最佳答案

2017-12-21 09:01:46 评论举报安亚垒