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本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 17:58 编辑
打算用NMOS（IRF1010NS）管做电平转换器件，于是先仿真，但是达不到预期的要求。1、如下图1所示，信号源600Hz时，符合预期。 2、如下图2所示，信号源600KHz时，不符合预期。当信号源为高电平4V时，NMOS管截止，输出电平不应该是6V吗，为什么只有3.6V呢？ 通过上面两种频率的信号源对比，我以为是NMOS管的开关频率不够，但是我一查datasheet，发现其上升时间那些都是ns级别（见图3所示），其对应的开关频率至少10MHz级别。所以，从这点来看，应该不是mos管开关频率限制的原因啊。。 3、信号源频率为600KHz时，输出电平为什么达不到6V呢？要怎样改进呢？求各位大神指导，谢谢！ 
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15个回答
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xiaxingxing 发表于 2017-12-14 17:42 对于高频来说更主要看电容的影响，因为你的输入电阻和电容会形成一个低通滤波器的效果，从而也会影响MOS管的开关特性，不过一般开关特性好的MOS管，你看它的输入输出电容一般也比较小的，这两个其实是相关的
最佳答案
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因为你把器件理想化了，没有考虑实际的MOS管的输入输出电容，这些电容会产生充放电效果
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那在频率600Khz的情况下，能用NMOS管做电平转换器件吗？ |
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2017-12-13 18:35:29
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1楼说得对，你用低阻信号源驱动，波形会有明显改善。
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给输出电容充电，为什么充不到6V呢？ |
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2017-12-13 20:10:08
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MOS管输入阻抗极高，几乎没电流，可以用电压驱动。低频应用一切正常。
MOS管的米勒效应，使得MOS高频应用受输入电容影响，相当于降低了输入电阻，需要电流驱动。类似三极管低阻抗输入那样。所以才诞生了专用MOS驱动芯片，若不补偿修正，就会发生楼主遇到的现象。 推荐：MOS管的米勒效应-讲的很详细 https://wenku.baidu.com/view/008e60800722192e4436f644.html |
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寄生二极管也是要考虑的吧
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你把频率输入到G极，输出连接到S极并接电阻到地，D极接个小电阻到6V电源。其实最好用两个对称的MOS管，这样可以增加输出的驱动能力。
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选取Ciss更小的NMOS管，这样是可以的，但是输出受制于VGS的充放电效应也会产生一些毛刺，可以在此基础上更改电路结构，可以网上搜索下电平转换电路，应该有很多232转TTL的参考 |
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你这电路我怎么看都是奇怪，所以结果也奇怪
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怎么说呢。仿真软件有时会产生错误的，还是建议楼主用硬件开一下为好。毕竟成本不大可以接受。
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学习学习
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恩，我搭硬件电路试试。谢啦 |
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2017-12-14 17:40:14
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aylboy0001 发表于 2017-12-14 10:51 我选2n7002小功率管貌似效果好点了 ，但是高电平还不是很平。高电平的时候有一个慢慢上升的过程。 请教一下，像这种应用，主要看MOS管的输入输出电容呢还是开关频率呢？谢谢！ |
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2017-12-14 17:42:11
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