MCU拉电流，灌电流，I/O 总电流请教

大家好，想请教MCU有关sink current，source current方面的问题。以下本人以尽最大的努力来进行排板以及解释清楚我的问题所在，敬请各位前辈帮助小弟一把

首先我本来是在看Arduino uno搭载的ATMEGA328P资料

我对于汇流，源电流方面的理解程度不高，主要知道差别在于电流方向的不同，以及驱动能力的不同
首先我查询了ATMEGA328P datasheet中有关灌电流，源电流，每I / O引脚MAX。目前等等的资讯

由图1中得知（来源自datasheet，第365页，连结），单一I / O口所能流过的最大电流为40mA，流经VCC与GND的最大电流限制为200mA

首先我针对我理解的部分进行说明（假定晶片电源由AMS1117-5.0提供，且晶片本身运行时自耗耗8mA）

来源电流：
假设我们使用源电流的电路配置模式，并且负载为LED灯，则电流自AMS1117-5.0输出后，由晶片内部的VCC经过假设LED的电流为20mA，则我使用了（20mA + 8A）/ 200mA。在此情况下，电流会同时流过晶片的VCC与GND

水槽电流：
再来我们将电流换成sink current的电路配置模式，并且LED与限流电阻的电源由AMS1117-5.0供应，当我将I / O拉低时电流会经由AMS1117-5.0输出端口流经LED，限流电阻，灌入晶片I / O口再从晶片的GND流出去形成回路。针对LED的电流路径而言，20mA没有流过晶片的VCC端口，但VCC端口还是有8mA用做晶片本身运行消耗。

由上述电流路径分析，得知若为源电流的配置，共有28mA流过晶片的VCC与GND。

问题1：请问以下我的描述是否正确？
若为灌电流的配置，则VCC仅流过8mA，GND则流过28mA。

问题2：据图1中的描述“直流电流VCC和GND引脚= 200mA”，是否将VCC与GND分开来看？也就是VCC有200mA，GND有200mA
在灌电流的电路配置中，VCC使用了8mA / 200mA; GND使用了28mA / 200mA

问题3：请问以下我的描述是否正确？
假设上述中对于VCC，GND流过的电流大小分析无误，则可以知道无论源或接头的配置GND的电流都是相同的。所以在此处的“DC Current VCC and GND Pins”该项参数，可以被延伸解释为“所有I / O口加总的电流限制”（考量晶片运行本身的消耗可小到被忽略）

问题4：请教哪个才是正确的？
由于Arduino UNO早期为DIP的封装形式（图2_1），后来改成TQFP_32pins（图2）。由于两脚脚位配置可以看出，DIP封装在7,8脚位具有一组VCC与GND，而在22脚位也有一个GND（我认为应该写成AGND较合适）;而TQFP封装在3,4,5,6脚位具有两个VCC与GND，21脚还有一个GND（AGND）。我认为TQFP封装具有两组VCC与GND的原因就是因为贴片型的脚位较细，所以需要用两组来来让200mA通过（例如一组分担100mA）。但我在此处看到有人具有不同的论点，认为一个VCC（或是GND）就算200mA。以DIP封装举例，则具有“1 VCC引脚：表示这些Arduinos能源总共200 mA”，“2 GND引脚：表示这些Arduinos可以共享400 mA “;若该人论点才是正确的，那TQFP_32pins封装Source current不就可以到400mA，Sink current to 600 mA？


题外话问题5：请教为什么常看到“MCU的Sink电流能力通常大于Source current”？
假设I / O口是推挽输出结构，那无论不是流过内部的MOSFET？若以MOS可承受的功率来思考的话两个配置不都是流过一个MOS吗？还是说这有关PMOS，NMOS本身特性？

题外话问题6：图3为ATMEGA328P的I / O结构图，因为之前有使用过STM32F3，其结构图很明显的可以看到推挽（或OD）输入/输出的结构，但在图3中我就看不出该晶片的I / O是怎样的结构（push-pull？）。

问题7：请教哪个才是正确？
鉴于于这一两天我在网上找这些问题的答案，但都没有找到我认为适合的解答，想起之前曾用过STM32系列但总没关心过sink，source current。所以我去查了查STM32F3根据图4得知“每个VDD电源线的最大电流（源）（1）= 100mA”以及“所有VDD电源线的总电流（源）= 160mA”，虽然没有到三倍图6为48脚，具有三组VDD和VSS），但这似乎映证了几组VCC和GND就能有几倍电流承受能力的论点，我还是不怎么确定哪个才是正确的。

问题8：接着我看到I / O的部份“由任何I / O和控制引脚输出电流源= -25mA”以及“由所有IO和控制引脚总和产生的总输出电流（2）= -80mA” 。假设上述的数据我都以最大值来进行思考。I / O口弄到极限的80mA，这样是否代表STM打算留下“160mA - 80mA”的余裕用来给晶片运行？
[所有VDD电源线的总电流（源）扣掉

问题9：由（图4）数据可看出接收电流和源电流能力相同，经查询后发现比较近代的MCU多半两个能力都是相同的，而以前的51系列才有接收电流较大的特性存在。但我在（图5）中又看到不同的数据，且也不是25毫安。黄标的部份不知道是本人英文太差还是有某些观念欠缺，搞不懂是在讲什么