[原创]MOS驱动电路

     MOS驱动，有几个特别的应用

1、低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3、双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
BSP320
BSP78
BSS84
BSS138
BSS101
BST110
BSS138
BSP752R
BSS84P
BUZ77A
BFP540
BF2040R
BFP520
BFP740
BF998
BFP405
BFR193
BF799W
BFP182
BFR92P
BFR93A
BFP405
BFN26
BFP450 /AN
BF770A
BFR193
BFR181
BFN27
BFP420
BFP640
BF2030 /NE
BF998
BFR181
BGA420
BG3130R
BGH91B
IPD13N03LA
IPD06N03LA
IPD09N03LA
IPB15N03L
IPD05N03LA
IPB06N03LA
IPD06N03L
IPD13N03LA
SPD09N05
SPP08N80C3
SPD25N06S2-40
SGP15N120

Part Number SGP15N120
 
Manufacturer Infineon Technologies
Manufacturer Part Number SGP15N120
Description IGBT NPT 1200V 30A 198W TO220-3
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant