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Static RAM（SRAM），指的是一种具有静止时存取功能，在不需要刷新电路的情况下依然可以保持内部存储数据的存储芯片。
一般来说有两个主要的规格： 1. 一种是放置于单片机CPU与主存储之间的高速缓存，有两种规格，一种是会固定在电路主板上的高速缓存，另一种是插入电路卡槽的COAST扩充用的高速缓存。 2. 第二种是内置于CMOS芯片146818的电路中，内部有128字节小容量的SRAM存储芯片，用于存储我们设置的配置数据，也有用于加速单片机CPU内部数据的传递，从80486CPU开始，基本上CPU内部会将SRAM设计进去作为高速缓存，SRAM存储芯片在读取数据上速度比较快，不需要刷新电路，目前在市场上，价格相对其他的DRAM还是高了点，主要用于高要求的行业中的应用， 基本特点 1.速度相对快，不需要刷新电路，可以提高整体工作效率。 2.SRAM集成度低，功耗高，相同的容量的情况下比DRAM等存储芯片体积大， SRAM存储的应用 1.CPU与主存之间的高速缓存。 2.CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 3.CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 4.CMOS 146818芯片。 同步SRAM存储芯片在传统上的应用是搜索引擎，用于对算法的实现，长时间来这也是SRAM存储芯片在网络的主要作用。跟随着新的存储技术的出现，设计者为SRAM存储芯片找到新的应用领域。 现在对路由器跟交换机的要求已经不仅仅限制于FIB搜索，计数器需要对接收服务包的信息包数量进行跟踪，并从中获取统计数据从而解决账单编制问题，并通过统计来不间断监视网络，并完成对问题的检测及判定，并随着每个信息包处理量的递增，就必然采取包缓冲器来提高处理能力，除了上面提及到的以外，随着系统中存储器资源的增加，动态存储分配也是必需的，路由器或者交换机的这些附加功能正在重新定义这网络系统的设计。 具有更多新功能的网络系统 并随着IPv6和VRF的快速普及，对更宽、更深、更快和更高效系统的需求变得更为迫切。系统设计者必须能以最低的成本来满足网络系统的所有度量标准。这时，之前的同步SRAM已经难以满足需求了。所以这些功能需要借助DDR或QDR SRAM等速度更快、带宽更高的SRAM存储芯片来实现。 QDR 与 DDR SRAM 在由瑞萨、、赛普拉斯IDT、NEC和三星公司组成的QDR协会的合作下开发出了QDR SRAM存储芯片，目的通过把SRAM存储芯片性能提升为原先的4倍用于满足那些不仅需要标准ZBT或NoBL SRAM的低延迟和满周期利用率，并还需要极大幅度提高工作频率的系统对带宽的要求。QDR SRAM存储芯片具有单独的读和写端口，设计里在每个数据引脚上以双倍数据速率各自独立地工作，因此能在一个时钟周期中传输4个数据字，因此4倍数据速率而得名。设计上采用分离的读/写端口从根本尚消除了SRAM与存储控制器之间对总线争用的冲突，这就是传统的公用I/O器件的问题所在。因此QDRII SRAM被称呼为回波时钟的源同步时钟，它们与数据输出由同一道生成。QDR SRAM采用了HSTL I/O标准，从而实现高速缓存操作。 QDR SRAM主要的应用在于面向那些需要在读和写操作之间进行转换，而DDR SRAM主主要的应用在于面向需要进行数据流式处理，此时，读和写操作之间的近期平衡为百分百的读操作或百分百的写操作。但在这种情况下，有一根QDR SRAM总线在百分之五十的时间里没被使用过。同时其它总线也是可能具有不平衡的近期读/写比例。这是督促人们对DDR公用I/O SRAM存储芯片开发的主要因素，在这种器件中，输入和输出数据端共同使用同一根总线。在从读操作向写操作转换的过程中，需要总线转向周期，并使得可用带宽减少。因此，对于某些系统来说，这必然产生了比QDR架构的平均总线利用率更优，控制信号几乎极少，而且又与QDR器件控制信号有些不同的地方。 深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。 更多资讯关注SRAMSUN. www.sramsun.com 0755-66658299 
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· 2017-7-19 10:03:23
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