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[经验]

【阿波罗STM32F767试用体验】SDRAM(FMC)(STM32CubeMx）

2017-5-7 00:19:38

4874 控制器 SDRAM

0

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器

·同步是指存储器工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据传输都以它为基准
·动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失
·随机存取是指存储器的内容可以以任意顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置

在STM32CubeMx 的SDRAM的配置，相对的简单

动态生成后，并不是成功，还有一个关键的步骤，初始化序列，这样SDRAM才能正常使用

/发送SDRAM初始化序列
void SDRAM_Initialization_Sequence(void)
{
uint32_t temp=0;
//SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能
delay_us(500); //至少延时200us
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0); //对所有存储区预充电
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);//设置自刷新次数
//配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度，
//bit3为指定突发访问的类型，bit4~bit6为CAS值，bit7和bit8为运行模式
//bit9为指定的写突发模式，bit10和bit11位保留位
temp=(uint32_t)(SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1| /* 设置突发长度:1(可以是1/2/4/8) */
SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL | /* 设置突发类型:连续(可以是连续/交错) */
SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 | /* 设置CAS值:3(可以是2/3) */
SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD | /* 设置操作模式:0,标准模式 */
SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE); /* 设置突发写模式:1,单点访问 */
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp); /* 设置SDRAM的模式寄存器 */
//刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法:
//COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数
//我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=216/2=108Mhz,行数为8192(2^13).
//所以,COUNT=64*1000*108/8192-20=823
HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1,823);
}

复制代码

具体上的操作，实际上与RAM没有多大的具别，具体操作如下：

//在指定地址(WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FMC_SDRAM_WriteBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n)
{
for(; n!=0; n--)
{
*(uint8_t*)(Bank5_SDRAM_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr++;
pBuffer++;
}
}
//在指定地址((WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FMC_SDRAM_ReadBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n)
{
for(; n!=0; n--)
{
*pBuffer++=*(uint8_t*)(Bank5_SDRAM_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr++;
}
}

复制代码

如果想合理的应用 SDRAM就上引用堆操作，动态申请和释放RAM，malloc free等操作，以后再来介绍

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