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小弟最近在做一个电池切换器，mos频繁损坏，求助各位。问题如下，使用的管子为AOB290，pd 为250W，vds，Id能达100以上，三个管子并联输出，但是靠近p-端的三个管子总是会坏，电池电压65V左右。目前空载测得Vgs开通时间约26uS。猜测是否是因为开通时间过长而导致击穿，下管有寄生二极管所以不易损坏？如果是，在线性稳压输出端加大电容是否能解决驱动能力不足的问题？ 板子1117的输出3.3V供电有100~200K幅值为2V左右的噪声如何去除，加了1uF去耦电容有一点效果，但仍然不理想？请各位坛友帮帮忙，感激不尽。
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28个回答
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谢谢帮忙分析，对于第三种损坏没见过。现在管子击穿后，DS完全击穿，GS约300R。我主要是通过按钮去接通所以频率低得很。是图腾驱动六MOS。理论上开通时间1uS也要2-3A电流，我的输入电压80多，降到这个电压还要输出这么大的电流，体积和成本都不便宜。相关的文档也读了很多，也觉得波形没问题。开通时间有点大这一点不是很确认。讲功率MOS电路设计的文档也只是泛泛的提到不超极限值，不振荡啥的，人家的具体设计经验还是人家的，自己学不到。我想功率mos是一个门槛吧。 |
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2017-6-3 16:43:18
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2017-6-3 16:44:44
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3121304020 发表于 2017-6-3 16:43 看来你挺灰心了。MOS管驱动部分还真不是那么简单一说。如果你的开关频率很低的话，一对图腾SS8550+8050（峰值1.5A）驱动还是没有问题的，但是频率升高后，得实测，进行调整。看你使用的分装是SOT-23的分装，所以没有一个更好的建议了；如果是SOT-89或者SOT-223的话，可以通过换三极管来提高驱动能力。 再通过你的描述，我可以判定，你MOS管的击穿方式为电压击穿（Vds）。不知道你的启动方式是硬件控还是软件控，你可以加软启动试试。还有我在你的电路上没有看到有吸收电路，你既然都说了布线不是很好，况且电路本身也有一些杂散电感，那么吸收也是避免不了的了。建议在MOS管D、S之间加RC进行吸收，C不要选择的太大，100P/100V左右，电阻的100Ω/3W就可以了。试试看吧 |
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3121304020 发表于 2017-6-3 16:43 还给你一个建议。你可以用150V的Vdss的MOS管进行测试一下试试看，由于你的驱动不足，可以将原先3个改为2个。 |
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asimilar 发表于 2017-6-4 09:51 嗯，谢谢。顺便问一下对于开通损耗有计算的办法吗？ |
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2017-6-6 08:56:18
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有。不过在你的电路中，没有电感存在，杂散电感电感量也不是很大，MOS管的开关损耗应该不大的。对于开关电源中的开关损耗，《精通开关电源设计》一书中有讲解，不过损耗计算都也是估算。 |
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asimilar 发表于 2017-6-6 16:07 嗯，非常感谢，里面那个公式我注意到了，只是我这里关心这个只是为了确保不在开通过程中损坏。本来是打算计算开通过程中的对应热量的结温温升，与结温比较的，现在就直接看SOA了 |
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2017-6-6 16:43:59
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3121304020 发表于 2017-6-6 16:43 从你的描述中，应该不是热击穿，比较像是电压击穿，这个需要处理一下。热的话，通过优化驱动和散热处理。 |
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好的，谢谢。。。 |
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2017-6-6 17:54:26
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菜鸟提问:一个二极管加上电容整流后接到LDO上，原理图如下，想请问下面两种layout放的有什么区别或者影响吗
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求救大佬，有没有大佬知道这个B772在这个电路里面是什么作用的
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