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33个回答
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路过，楼主好眼熟
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应该给定恰当的已知条件 —— 传感器X1的阻值范围（最小值和最大值）和期待电路发生状态转换时的它的阻值。 其它的配置交由电路设计者来处理。 |
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晓晓江南 发表于 2017-2-11 20:36 你都已经仿真验证了，还有什么不明白？上电的时候哪个先导通，取决于RTD的阻值，不同的管子导通，对应不同的输出电压。输出也很稳定，一但过热就输出（相对的）低电平，即使温度再降下来不会自动恢复。 类似于常规保险丝的作用，过流熔断，过温锁死，只不过这个设定的触发点的精度是个问题，毕竟三极管受温度的影响比较大。 |
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BigMountain 发表于 2017-2-13 09:37 我不太清楚为什么RTD与R4并联之后的等效阻值在200Ω以下，Q1先导通，而等效阻值在200Ω时，Q2导通？ |
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这个电路是自己做的，本意就想X1的阻值升高到一定值时，Q2导通，Q1截止，同时即使X1的阻值降低，也保持Q2导通，Q1截止的状态，功能就是这样，只是有些地方不解，为什么是Q1先导通呢？如果是Q2先导通的话，Q1也就不会有导通的条件了，另外那个R5的阻值是我随意设置的 
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RTD的阻值决定着R3和R1连接端的电压，设此电压为 Vn，则会有 5-Vn=Ib*R3+VF。 VF为三极管发射极、基极的导通电压，假设MOS管的关断电压为2V，那三极管的集电极电流只需要有300uA，流过R2就可以使MOS管关断。假设三极管的放大倍数为300，那三极管的基极电流为Ib=1uA，然后再通过 Ib=Is (exp(VF q/kt)-1)这个公式，就可以求出VF。 Ib、VF 都有了，Vn也就可以求出来，再通过分压公式就可以求出对应的RTD的阻值。 不要太关注这个值具体是多少，因为实际会变，可能是190，也可能是210。但你要清楚电路里面关键器件的作用，（如果可以那最好用数学模型来确定里面的关系），这才是重要的。 |
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BigMountain 发表于 2017-2-13 12:58 谢谢你的耐心回答 
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2017-2-13 23:11:46
评论
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2017-2-13 23:34:02
评论
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JQ_Lin 发表于 2017-2-13 23:34 在150Ω以下,Q1导通，想问的是你的电路中加了电容，如果在我的电路图的R2上并个电容，对电路有改善吗？例如提高稳定性之类的。 |
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确保Q1率先导通是头等重要的事情，当然有改善了。 我的电路基于你的电路，稍加改进而已。 |
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