四个晶体管搭建静态存储单元，加两个晶体管搭建写控制电路

电子

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2018-1-2 21:02 编辑

自己动手搭建电路可以发现许多有趣的东西。今天为大家带来的是“静态存储单元”及其“写控制电路”的搭建。

“静态存储单元”是构成“静态存储器”（SRAM）的最基本单元。其中每一个BIT存储在4个晶体管构成的2个交叉耦合的反相器中。而另外2个晶体管作为“写控制电路”的控制开关。

有趣的是，搭建这个电路需要严格对称。这表示面包板上左右两侧对应位置的走线距离必须完全一致，才能达到最好效果。

如图：

再来一张实物图：

下面的大面包板是“静态存储单元”，由晶体管Q1~4组成，上面的小面包板是“写控制电路”，由晶体管Q5、Q6组成。至此“静态存储单元”及其“写控制电路”论述完毕。
手绘和电路制作一样需要热情和细心。赠送一张手绘图片给大家！

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图为《哪吒大闹东海之一》

尧建堂 · 2017-1-8 12:30:11

走线方式都有要求。元器件更得精挑细选哦。

林翔 · 2017-1-8 12:37:03

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-1-8 15:01 编辑

太子的空间发表于 2017-1-8 12:30
走线方式都有要求。元器件更得精挑细选哦。

用同一长度线走线。减少交叉多用并行。没问题的。

林翔 · 2017-1-8 14:57:00

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-1-8 15:04 编辑

杜邦线连线好像暂时不必考虑电容耦合和电感耦合。

晓晓江南 · 2017-1-8 18:06:31

电路图中的Q5，Q6的发射极是不是分别接在Q3，Q4的集电极上？

林翔 · 2017-1-8 20:19:20

晓晓江南发表于 2017-1-8 18:06
电路图中的Q5，Q6的发射极是不是分别接在Q3，Q4的集电极上？

林翔 · 2017-1-8 20:21:00

elecfans电子发烧友发表于 2017-1-8 20:19

确实，忘了点了。就在这儿加以说明。感谢你！

王栋春 · 2017-1-8 20:48:50

晓晓江南发表于 2017-1-8 18:06
电路图中的Q5，Q6的发射极是不是分别接在Q3，Q4的集电极上？

这个应该是基极呀

林翔 · 2017-1-9 05:30:07

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-12-31 13:30 编辑

王栋春发表于 2017-1-8 20:48
这个应该是基极呀

基极和集电极都要接发射极。再画一张图：

林翔 · 2017-1-12 09:08:08

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-4-13 10:19 编辑

加油哦！

林翔 · 2017-1-20 12:41:54

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2018-1-2 21:03 编辑

天行健！

林翔 · 2017-2-11 21:35:42

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-2-12 03:08 编辑

元宵节快乐！

花灯高挂红满天，
彩绸招张映红颜。
人迎春季春盛万，
春满人间人团圆。

晓晓江南 · 2017-2-11 21:44:03

elecfans电子发烧友发表于 2017-2-11 21:35
元宵节快乐！

小伙子，你不能发一些与题目无关的图呀，小心失足落入小黑屋.

林翔 · 2017-2-11 22:19:21

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-2-18 23:35 编辑

晓晓江南发表于 2017-2-11 21:44
小伙子，你不能发一些与题目无关的图呀，小心失足落入小黑屋.

可是我又没犯错，他为什么要关我呢。

林翔 · 2017-3-3 22:11:02

那我发一个有关的。

林翔 · 2017-4-13 09:37:30

静态存储器单元与反相器的关系。

反相器由一个 NMOS 和一个 PMOS 组成。

反向器波形图。

林翔 · 2017-4-13 09:39:29

显然，2个反相器交叉耦合，就是前述的静态存储器单元了。

林翔 · 2017-4-13 09:40:51

静态存储器单元波形图。

林翔 · 2017-4-13 09:41:57

本帖最后由 elecfans电子发烧友于 2017-4-15 06:24 编辑

实测数据。

林翔 · 2017-4-13 09:42:39

温度情况。

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