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24个回答
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为什么只能用NMOS来设计？你的负载电流很大？
如果负载电流不大，PMOS能够胜任，还想控制简单，那最好还是用PMOS。 如果只能用NOMS那就不要想简单了，12V的电压是没有办法直接控制NMOS来实现120V电压开关的，因为随着NOMS 的导通，S极的电压也会升高，G极的12V电压是远远不够的。如果直接将12V升压到130V左右来进行控制，还要考虑最大Vgs可承受的电压，一般也就20V多些。 所以要通过专门的电路来实现根据负载电压升高和降低时的自举电路，能用集成芯片解决这个问题也就不简单了。 给你一份参考资料，你可以参考一下。
最佳答案
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2016-12-26 15:48:36
评论
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可以啊！驱动芯片可以省！如果电路中有其它MCU,得要考虑隔离！ |
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这个可以的 不知楼主选择的是那款管子
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对速度没有要求话，可以用单片机驱动三极管，三极管再驱动MOS管，要求高速度可以选用集成芯片或NPN，PNP三极管组成对管来驱动，高速时使用集成芯片效果好，使用方便，成本高些
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2016-12-27 09:19:32
评论
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可以在S和Ｇ之间加自举电容，Ｇ和控制之间信号之间加二极管进行隔离 |
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我的想法不好实现，自举电容的充电放不好设计，而且不适合长时间导通（自举电容电量不能支持长时间导通）。 之前看到过有人用光耦做隔离来驱动，如果这两天能找到给你发一份 |
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我也要來學習學習
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1.用LDO提供MOSFET栅源之间的压差， 2.ACPL-P480是IGBT门驱动光电耦合器。 |
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LDO 的供电是哪来的？ 相当于把LDO浮起来了，是吧？还是两个LDO串起来的？ |
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我还以为你都忘了这事了呢！ 
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LDO供电是弱电，对地电位不高。 主要是将LDO的输出浮起来。 没有合适的LDO，只好用两个5V的串起来得到10V来驱动IGBT。 |
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每次都是在我快要忘了的时候，又收到提醒了。 谢谢！哈哈！ |
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我是来学习的
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5V供电情况下JFET前级放大电路怎么实现，JFET能不能先将信号放大到2-3mv,然后在用单运放进行1000倍左右放大？
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