硅片减薄技术研究

2010-5-4 08:09:53 4361

0 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法,并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外,从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证,分析了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控。【关键词】：硅片;;背面减薄;;研磨【DOI】：CNKI:SUN:DYFZ.0.2010-03-007 【正文快照】：1引言随着集成电路向着短小轻薄的方向发展,封装中使用更薄的硅片已成为必然。目前行业内可以将硅片减薄至50μm,相当于普通人头发丝的直径。通过减薄,可以将硅片背面多余材料去除掉,不仅有效的减小了硅片封装体积,同时,也提高了器件在散热、机械、电气等方面的性能。目前减薄全文下载 0
2010-5-4 08:09:53　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 新开发了一种GaN衬底减薄技术——激光减薄技术 4585 • InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器背减薄技术工作研究 1132 • 硅片减薄蚀刻技术：RIE技术将硅片减薄到小于20微米 8676 • RFID测试技术研究 1468 • MIMO技术研究热点 1730 • labview通信技术研究 2757 • 用于减薄硅片的蚀刻技术 1 • 柔性共形阵天线技术研究 1114 • 智能汽车技术研究 3963 • 信息互响应技术研究 1527