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本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力,介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案,以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。
【关键词】:功率半导体;;二极管;;快恢复;;软特性;;结构 【DOI】:CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-009 【正文快照】:1前官在诸多的电力半导体器件中,功率二极管相对来说是最简单的一种器件,但又是电力电子电路中最常用的基础电子元器件之一,在电路中起着举足轻重的作用。其性能往往会成为电路设计是否成功、运行是否正常的关键。随着开关器件的不断进步,开关速度的不断提高,对相关功率二 |
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