超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征

2010-4-24 09:02:19 1727

0 `【作者】：张帅;张正选;毕大炜;陈明; 【来源】：《功能材料与器件学报》2010年01期【摘要】：介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。【关键词】：SOI;;SIMOX;;Pseudo-MOSFET;;隐埋氧化层【DOI】：CNKI:SUN:GNCQ.0.2010-01-011 【正文快照】：0引言SOI(Silicon-On-Insulator)技术独特的绝缘埋层结构使有源层和衬底之间实现了完全的电学隔离,从而采用SOI材料制作的微电子电路、器件等具有寄生电容小、速度快、功耗低、集成度高、抗瞬时辐照效应的能力强等优点[1-3]。SOI技术独特的优势使其在微电子和光电子等领域有广 NFCvLbg89KsCuPze5ZzWtR%252BMN7AeQT6l6qmP9NOZzvJwi%252FTTbZCiE4P9Ca158PqDjTzdnSdCdJkAJPWsAdw%3d%3d&url=http:%2F%2Fwww.cnki.com.cn%2FArticle%2FCJFDTOTAL-GNCQ201001011.htm" target="_blank">全文下载 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2010-4-24 09:02:19　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 如何精确表征柔性电子的电学性能？ 1292 • MOSFET的结构、电学符号和电学特性 4379 • 什么是相变存储器？如何表征相变材料及器件电学性能？ 1024 • MOSFET的结构和电学特性小结 818 • MOSFET的结构和电学特性小结 1721 • 高分子材料的电学性能 0 • 器件/材料表征的电容测量基础应用笔记 1254 • 所选封装材料的热学和电学性质 24 • 关于MOSFET的结构和电学特性的总结 3434 • PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征 53 1 个讨论

0 复制下来！！！！！！！我自己好好学习！！！！！！！！！！！！！！本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x

2013-8-16 08:31:57 评论举报 1^# 潘铭辉