从左往右
LB6---我觉得应该用10uH 2A绕线电感替代。磁珠特性太不稳定;如:IND,WWP,10uH,±10%,2A,CD54,SMD;
C80 改为两个瓷片电容,用CAP,1206,10UF,25V,±10%,X5R ---理由原始设计22uF的太贵,不如并联两个10uF
C25 用CAP,0603,0.1uF,50V,±10%,X7R
如空间可能建议输入在增加一个电解电容100uF。
R194 用RES,0603,100kΩ,±5%,1/10W 参考设计,没啥说的
R321 改用 RES,0603,47Ω,±5%,1/10W
C37 改用 CAP,0603,100nF,50V,±10%,X7R 经验借用,省钱,省空间
R52 用参考设计 75k
R61 用参考设计 40.2k
R44 用参考设计 7.68k
C26 CAP,1206,10UF,25V,±10%,X5R
C62 CAP,1206,10UF,25V,±10%,X5R
C83 CAP,0603,0.1uF,50V,±10%,X7R
L2 IND,WWP,8.2uH,±20%,5A,1004 增大电感 500kHz开关频率,有利于输出纹波改善。