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本帖最后由 maskmyself 于 2016-1-13 10:00 编辑
这期讨论比较简单，但是比较实用。如下图，是单片机中常用的晶振这部分的电路图。已知晶振X1是24Mhz。求解其周边电阻电容值。1.如果晶振是CL12 2.如果晶振是CL18 本期答案参考二楼四楼 1.第一期：https://bbs.elecfans.com/jishu_537402_1_1.html 
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8 个讨论
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本帖最后由 nealcc 于 2016-1-8 12:18 编辑
诶呀，这个主题好、多交流。 以前老会听到同事讨论，低温-20度遇到不唤醒！后面发现就是32.768晶体匹配电路参数没有弄好，RTC异常。 对照楼主图示 X1 晶体振荡器，无源晶振 典型参数 CRY,32.768K,10PPM,-30/70,9P,SMD C430 C429 为匹配电容 一定是瓷片高质量（温度特性稳定）的高频应用电容！ R1 实质是晶体震荡电路的反馈电阻 外部并联电阻。 R13 又名Rext 【external resistor】起初的设计目的是阻抗匹配，也有控制EMC的功能。 经验数值： C430 C429一般负载匹配电容在7~30pF 瓷片COG 电容，比如我用过的 CAP,0402,18PF,50V,±5%,COG,MURATA R1 一般是空贴或者使用1M以上 （有些芯片内部已经有这个振荡反馈电阻，外部是并联电阻微调使用。故数值都很大。） R13 通常是贴0R先，根据EMC调整在100-2k ohm左右。 理论计算参考： C430 C429=2*（C_L - C_stray） C_L是晶体负载电容，C_stray晶体管教及焊接导入的寄生电容通常在2-7pf,如：晶体参数为9pf，则匹配电容数值为C430 =C429=2*（9pf-2pf）=14pf R13 =1/(2*pi*f*C_L1) 如上 1/(2*3.14*32.768k*14pf)=347106 ohm 这个数值计算出来不能直接用，电阻数值还会影响到起振功率问题，所以，通常这里是0 ohm 以上都来自以下文档参考： 
AN2867 Oscillator design guide(晶体 振荡电路设计指引).pdf
(2.81 MB, 下载次数: 20
)
而实际开发的时候，我们会用碰运气的方法（在试产机器上，刻意增加或减少试探临界状态，比如计算得出匹配电容12pf，我会分别实验5pf 9pf 18pf知道出现异常出现。以确保计算数值在极限数值“中段”） 当然还有一种专业办法就是把板子（贴好的）提供给晶体厂，他们会帮忙测试匹配参数给你。（因为参数计算的基础就是晶体的参数，他们有这个义务） |
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实际开发的时候，对于电容参数的选择并不是碰运气的，可以使用频谱仪测试晶振的频率，然后调整电容。就晶振的匹配电容，一般晶振在出厂时厂家会给出CL这个参数，根据这个参数可以大概估算电容的容值。 |
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关于R1、R13这里就不赘述了，二楼讲的不错。
但是关于电容值得问题，这里可以大家普及一点小知识。 一般晶振出厂的时候，厂家都会给出CL这个参数，常见的是CL12、CL18. CL12表示外面的电容需要12pF，所以C429，C430一般选用18pF左右的，18/2=9pF外加一些寄生电容。 CL18表示外面的电容需要18pF，所以C429，C430一般选用30pF左右的，30/2=15pF外加一些寄生电容 当然C429、C430是需要再根据实际电路再进行测试的，一般使用频谱仪测试晶振的频率，保持频率偏差在10ppm或者20ppm以内就可以了。 |
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