图 2 , Buck 电路的电流环13、mos ( igbt )管的栅极驱动电路通常也含有较大的 di/dt 。
14、在大电流、高频高压回路内部不要放置小信号回路,如控制、模拟电路,以避免受到干扰。
15、减小易受干扰(敏感)信号回路面积和走线长度,以减小干扰。
16、小信号走线远离大 dv/dt 信号线(比如开关管的 C 极或 D 极,缓冲 (snubber) 和钳位网络),以降低耦合,可在中间铺地(或电源,总之是常电位信号)进一步降低耦合,铺地和地平面要良好接触。小信号走线同时也要尽量远离大 di/dt 的信号线,防止感性串扰。小信号走线最好不要走到大 dv/dt 信号的下方。小信号走线背面如果能够铺地(同性质地),也能降低耦合到的噪声信号。
17、比较好的做法是,在这些大 dv/dt 、 di/dt 信号走线(包括开关器件的 C/D 极、开关管散热器)的周围和背面铺地,将上下两层铺地用过孔连接,并将此地用低阻抗走线接到公共接地点(通常为开关管的 E/S 极,或取样电阻)。这样可以减小辐射 EMI 。要注意,小信号地一定不能接到此屏蔽地上,否则会引入较大干扰。大 dv/dt 走线通常会通过互容将干扰耦合到散热器及附近的地,最好将开关管散热器接到屏蔽地上,采用表贴开关器件也会降低互容,从而降低耦合。
18、易产生干扰的走线最好不要使用过孔,它会通过过孔干扰过孔所穿过的所有层。
19、屏蔽可以降低辐射 EMI ,但由于增大了对地的电容,会使传导 EMI (共模,或非本征差模)有所增大,不过只要屏蔽层接地得当,不会增大很多。实际设计中可权衡考虑。
20、要防止共阻抗干扰,采用一点接地,电源从一点引出。
21、开关电源通常有三种地:输入电源大电流地、输出电源大电流地、小信号控制地,地的连接方法见如下示意图:
22、接地时首先应先判断地的性质,再进行连接。采样及误差放大的地通常应当接到输出电容的负极,采样信号通常应从输出电容的正极取出,小信号控制地和驱动地通常要分别接到开关管的 E/S 极或取样电阻上,防止共阻抗干扰。通常 IC 的控制地和驱动地不单独引出,此时取样电阻到上述地的引线阻抗必须尽量小,最大程度减小共阻抗干扰,提高电流采样的精度。
23、输出电压采样网络最好靠近误差放大器,而不是靠近输出端,这是由于低阻抗信号比高阻抗信号更不容易受到干扰,采样走线对要尽量相互靠近以减小拾取到的噪声。
24、布局注意电感要远离,并相互垂直,以减小互感,尤其是储能电感和滤波电感。
25、布局注意高频电容和低频电容并联使用时,高频电容靠近使用者。
26、低频干扰一般为差模( 1M 以下),高频干扰一般为共模,通常通过辐射耦合。
27、如果高频信号被耦合到输入引线,很容易形成 EMI (共模),可在输入引线接近电源处套一个磁环,如果 EMI 降低就表明存在此问题。解决此问题的方法是,降低耦合或降低电路的 EMI 。如果高频噪声没有被过滤干净而传导到输入引线,也会形成 EMI (差模),此时套磁环不能解决问题,在输入引线接近电源处串两个高频电感(对称),如果 EMI 降低就表明存在此问题。解决此问题的方法是改善滤波,或采用缓冲、钳位等手段减小高频噪声的产生。
28、差模和共模电流的测量:
29、EMI 滤波器要尽量靠近进线,进线的走线要尽量短,尽量减小 EMI 滤波器前后级的耦合。进线最好用机壳地进行屏蔽(方法如上所述)。输出 EMI 滤波器也要作类似处理。尽量拉开进线和高 dv/dt 信号走线的距离,在布局上要加以考虑。