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21个回答
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2022-2-11 10:49:16
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R12改为47欧，Q2的GS间增加一4K7放电电阻，G极增加一个2欧左右的电阻减小振荡，BAT+最好做到10V以上
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2022-2-11 11:00:39
3 评论
3 条评论
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MOS管要做高低温试验 看表面温度是否过高，如果过高，要进行限流 同时MOS管要进行PCB上的去铜皮散热
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你看下那个时候栅极电压是多少啊
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MOT高电平是+5V电压，经过R12输入到Q3的基极，Q3的发射极电压在4.4V左右（B与E基之间的压降取0.6V），也就是说MOS管Q2的控制电压最大为4.4V，MOS管没有处于完全导通状态，内阻很大,不是8毫欧，可能在0.几欧。自身发热就很严重了。Q2与Q3之间再添加PNP管子转换。Q4的作用很大，不能去掉。
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加上栅极限流电阻和GS放电电阻先
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建议你先用示波器测一下MOS管G端的上升下降沿，MOS管主要发热在开关的过程中，然后再有针对性的增加外围电路减小上升沿或下降沿
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2022-2-13 06:59:10
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2022-2-13 07:28:12
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最后修改为单片机直接控制，主要发热是由于频率的原因，将PWM的频率改为1K的就不发烫了。
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2022-2-14 08:33:23
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现在改为单片机直接控制MOS管，主要发热问题是PWM频率的问题，原来是20K的频率，现在修改为1K的，就不发烫了。
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2022-2-14 08:36:42
1 评论
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Q4的作用是：给G极，在低电平的时候，快速释放电荷。影响工作的频率的高低。
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理论上你用的Mos 30V/80A不应该发烫，降低频率是一种方法，增大VBat应该有点用，只是还是发烫，改善不明显，如果在频率不变的情况下，建议加散热片，并联MOS，再测试下温度是否可接受，供参考
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驱动电压不足，或释放电压慢。管子驱动电压不足。
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电机工作时，电池抽取电流，电池电压下降，再结合推挽的5伏，导致三极管电流放大倍数不够，即MOS的驱动电流不足，导致MOS开启时间延长，且存在Vgs电压偏低，MOS导通速度慢，电压电流存在较大的交叠区，开启损耗大！
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2022-2-16 14:30:14
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Vgs电压太低了，要求20V，你的供电电压才8.4V，管子处于放大状态，根本不能饱和导通，看能不能找到导通电压在8V左右的管子。
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楼上说的都是长见理论， 在实际应用中，需要考虑的有许多问题，
两串锂电池的电压不知道怎么理解电压是多少，3.7V 的话也就是7.4V。 70W电机，工作是需要约10A电流。 MOS 80A30V 是足够用的，但还是会损耗发热， 散热是必须要的。 驱动频率不是太高的话，mos损耗可以接受， MCU5V驱动PWM信号毕竟电流有限，用三极管做的图腾柱还不是理想的做大电压放大(MOS需要是电压驱动，不是电流驱动）。80A的管子结电容大，因此驱动建议采用驱动芯片，或MOS图腾柱。 这样就没有三极管的电压放大差异，有够的BAT+的电压幅度。 开关速度相对快的多，损耗减小。 |
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MOS管在高频率信号下工作,一旦超过功耗数据设计值,就会出现高温,请注意该芯片在适当的环境温度且散热器情况下才能够正常工作.
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