MOSFET的驱动技术及应用详解

　　当然以上都是示意图，没有完整的外围电路，但是外围其实很简单，参考datasheet即可。自举电容主要在于其大小，该电容在充电之后，就要对MOS的结电容充电，如果驱动电路上有其他功耗器件，也是该电容供电的。所以要求该电容足够大，在提供电荷之后，电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。但是也不用太大，太大的电容会导致二极管在充电的时候，冲击电流过大。
　　对于二极管，由于平均电流不会太大，只要保证是快速二极管。当然，当自举电压比较低的时候，这个二极管的正向压降，尽量选小的。
　　电容没什么，磁片电容，几百n就可以了。但是二极管，要超快的，而且耐压要够。电流不用太大，1A足够。
　　隔离驱动。当控制和MOS处于电气隔离状态下，自举驱动就无法胜任了，那么就需要隔离驱动了。下面来讨论隔离驱动中最常用的，变压器隔离驱动。
　　看个最简单的隔离驱动电路，被驱动的对象是Q1。
　　其实MOS只是作为开关管，需要注意的是电机是感性器件，还有电机启动时候的冲击电流。还有堵转时候的的启动电流。
　　驱动源参数为12V ，100KHz， D=0.5。
　　驱动变压器电感量为200uH，匝比为1：1。
　　红色波形为驱动源V1的输出，绿色为Q1的G级波形。可以看到，Q1-G的波形为具有正负电压的方波，幅值6V了。
　　为什么驱动电压会下降呢，是因为V1的电压直流分量，完全被C1阻挡了。所以C1也称为隔直电容。
　　下图为C1上的电压。
　　其平均电压为6V，但是峰峰值，却有2V，显然C1不够大，导致驱动信号最终不够平。那么把C1变为470n。Q1-G的电压波形就变成如下：
　　驱动电压变得平缓了些。如果把驱动变压器的电感量增加到500uH。驱动信号就如下图：
　　驱动信号显得更为平缓。从这里可以看到，这种驱动，有个明显的特点，就是驱动电平，最终到达MOS的时候，电压幅度减小了，具体减小多少呢，应该是D*V，D为占空比，那么如果D很大的话，驱动电压就会变得很小，如下图，D=0.9
　　发现驱动到达MOS的时候，正压不到2V了。显然这种驱动不适合占空比大的情况。
　　从上面可以看到，在驱动工作的时候，其实C1上面始终有一个电压存在，电压平均值为V*D，也就是说这个电容存储着一定的能量。那么这个能量的存在，会带来什么问题呢？
　　下面模拟驱动突然掉电的情况：
　　可见，在驱动突然关掉之后，C1上的能量，会引起驱动变的电感，C1以及mos的结电容之间的谐振。如果这个谐振电压足够高的话，就会触发MOS，对可靠性带来危害。
　　那么如何来降低这个震荡呢，在GS上并个电阻，下图是并了1K电阻之后波形：
　　但是这个电阻会给驱动带来额外的损耗。如何传递大占空比的驱动：
　　看一个简单的驱动电路。
　　当D=0.9的时候
　　红色波形为驱动源输出，绿色为到达MOS的波形。基本保持了驱动源的波形。
　　同样，这个电路在驱动掉电的时候，比如关机，也会出现震荡。
　　而且似乎这个问题比上面的电路还严重。
　　下面尝试降低这个震荡，首先把R5改为1K
　　确实有改善，但问题还是严重，继续在C2上并一个1K的电阻。
　　绿色的波形，确实更改善了一些，但是问题还是存在。这是个可靠性的隐患。
对于这个问题如何解决呢？可以采用soft stop的方式来关机。soft stop其实就是soft start的反过程，就是在关机的时候，让驱动占空比从大往小变化，直到关机。很多IC已经集成了该功能。