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应该是自举电路， 具体可以查自举相关的资料看看
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C2与R6形成RC充电电路，可以延缓MOS的开启时间，容量越大，延时越长。但是R1和C1的存在在一定程度上又会破坏这种延时效果，波形你可以仿真一下就能看出来。另外R1和C1并接在MOS两端在开关电源电路中比较常见，主要是用来吸收MOS两端的电压尖峰，在你这个电路中，由于不知道负载性质，所以不能下结论。
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回楼上，电流增大时，4个电阻的电压升高，超过一定值，会使三极管导通，从而使后级的mos管关闭，这样就起到了过流保护的作用，不过实测的话，并未测到MOS管关闭，而是电流限制在一个值，不会随负载的增大关闭MOS，是达到了一个稳态。
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利用Q2导通条件|Vbe|两端电压，达到恒流作用
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C2慢启动，R1和C1吸收Q1开关尖峰！
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也就是一个MOS开关，前面检测电流大小，控制三极管的导通和截止
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2020-6-24 13:58:16
评论
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所有电阻电容的功能都是为了电路瞬间发生突变，改善线路因为外负载产生负载功率突变，改善因出现电压调整突变电压变化，其实就是稳定电压输出。
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R1 C1消除MOS关断时的尖峰电压，如果尖峰太大，会使Q1关断，这样MOS又打开了，四个电阻串联实现限流功能，这四个值及限流的值要根据Q1的开启电压/电流确定
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C2慢启动当有尖峰干扰时Q1可以快速关闭，R1C1吸收关断时的感应电压
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谢谢！看完文章学习了不少东西，哈哈
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2020-7-23 19:00:23
评论
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以下分析供您参考：
R1，C1并联在Q1的DS两端，作用是吸收，减小Q1漏极电压的振荡，R1是阻尼，同时也是在Q1开启时，将C1的能量消耗在R1上，C1就是吸收电容，C1和R1的值会影响功耗。 同样的，C2是Q2的吸收电容，只不过这里没有串联阻尼电阻，主要作用是滤除高频噪声，同时与R4和R6构成延时，防止Q2的保护误动作。 整个电路的工作原理是，当电流达到一定程度，Q2导通，Q1（p管）门极高电平，使Q1截止，电流通路切断。 不对之处，相互探讨，谢谢！ |
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1 条评论
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学习了！！！！！！
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谢谢，真不错，受教了
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2020-10-5 14:53:12
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2020-11-9 13:45:15
评论
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谢谢！看完文章学习了不少东西。
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2020-11-9 13:45:49
评论
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分析的不错学习了
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5V供电情况下JFET前级放大电路怎么实现，JFET能不能先将信号放大到2-3mv,然后在用单运放进行1000倍左右放大？
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