完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
RT，24V驱动电机，D4是想用来防反接，但基本上测试几次都是击穿；两个MOS也遇到短路的情况。D4换成S3GB可以运行几次，不过发热也严重，之后也挂了。
知识面太窄，不知该从何分析，请大家指点一二！！！谢谢 
0
|
|
相关推荐
6 个讨论
|
|
|
谢谢版主大大的回复，这个推挽也是参考电路搭建的，死区怎么设置？还有mos管电阻选取之类的，具体一点的计算公式有没有啊，看了一些资料都是一个范围什么的，没找到计算方式。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
C1 C2两个电容会导致MOS关断延迟，造成死区加大，估计烧的可能性很大
|
|
|
|
|
|
|
|
你正在撰写讨论
如果你是对讨论或其他讨论精选点评或询问，请使用“评论”功能。
793 浏览 0 评论
996 浏览 0 评论
2078 浏览 1 评论
1398 浏览 1 评论
5V供电情况下JFET前级放大电路怎么实现，JFET能不能先将信号放大到2-3mv,然后在用单运放进行1000倍左右放大？
2551 浏览 1 评论
/9 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
8498
评论
淘帖
139
12
