完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。 ![]() Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。 Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。 Qgd:栅极和漏极电荷 Qgs:栅极和源极电荷 栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大额定值的50%。漏极电流从0增加到ID过程中,分别测量VGS、栅极充电时间,就可以计算得到栅极电荷值。 ![]() (a):简化的测试电路 ![]() (b):测试电路和波形 ![]() (c):实际的波形 图1:栅极电荷的测试电路和波形 栅极电荷测试的电路中,需要用到二个恒流源:G极驱动充电的恒流源和提供ID的恒流源,因此测试的电路有下面不同的形式。 ![]() (a):ID由分立元件构成恒流源 ![]() (b):ID由电感构成恒流源 图2:栅极电荷的测试电路形式 图2(a)中,对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供,而ID由分立元件构成恒流源,其工作原理非常简单:就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性,调节G极的电压就可以调节电流的大小。不同的器件,所选择的外部恒流源的元件参数会有异差。 图2(b)中,ID由电感构成恒流源,相对而言, 这种方式电路结构简单,只是电流的精度不如上一种方式。 根据电容的特性: C·dv/dt = IG 可以得到: Q = C·dV = IG·dT 在图1(b)中,对应着不同的VGS的电压,由波形或仪器读出相应的时间dT,IG已知,就可以分别算出不同的栅极电荷。 Qg(10V) = IG·T4 Qg(4.5V) = IG·T3 Qgd = IG·T2 Qgs = IG·T1 在实际的测试中,根据电容的大小,IG的值设定为不同的值:10uA、100uA、 1mA。测试条件改变的时候,如改变ID或VDS,实际测量的栅极电荷也会改变。 图3中的测量结果,测量条件:VDS=160V,VGS=10V,VGS:2V/div,时间t:1us/div,电流大,米勒平台也高,栅极电荷值也稍有差异。 |
|
|
|
电源接线检测仪LED1、2电路的二极管是反接的,灯为什么会亮?
2412 浏览 1 评论
1637 浏览 1 评论
各位大神,求电路图,用MC34063设计出一个升降压DC-DC,输出900mA左右
1836 浏览 0 评论
3521 浏览 2 评论
1779 浏览 3 评论
74476 浏览 104 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-8-17 06:28 , Processed in 0.339348 second(s), Total 36, Slave 27 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191