如何在HSM中擦除或写入PFlash？

322 寄存器应用程序

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我有一个需求：在 HSM 一侧升级 HSM 应用程序代码，但现在我需要知道如何在 HSM 中刷 PFlash。我找到了以下界面示例，但没有一个能达到我的目的。请问操作 DMU 寄存器刷 PFlash 的时机是什么？在哪里可以找到相关文档和演示代码？demo1： volatile uint32_t timeout; DF1_ADDR_AA50 = addr;DF1_ADDR_AA58 = cnt;DF1_ADDR_AAA8 = 0x80;DF1_ADDR_AAA8 = 0x50； /* 等待闪存操作完成 */timeout = 0x5000000;while (--timeout ((REG_DMU_SF_STATUS 0x02) == 0x02)){ ; }demo2：volatile uint32 pmuid;if (cnt>= 32)return (1);// Clear the Erase State Flag DMU_HF_OPERATION.ERASE//DMU_HF_CONTROL.B.CERASE = 1; // 清除状态MEM (0xAF005554) = 0xFA;pmuid = PMU_ID.U;// 擦除逻辑扇区范围MEM (0xAF00AA50) = (uint32) addr;pmuid = PMU_ID.U;MEM (0xAF00AA58) = (uint32) cnt;pmuid = PMU_ID.U;MEM (0xAF00AAA8) = (uint32) 0x80;pmuid = PMU_ID.U;MEM (0xAF00AAA8) = (uint32) 0x50;pmuid = PMU_ID.U;while(!DMU_HF_OPERATION.B.ERASE);while(DMU_HF_STATUS.B.D0BUSY); 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-5-21 10:44 审核通过
2024-5-21 06:02:41　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × chm5 该类别下有 7 个回答。邀请回答南中南该类别下有 6 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 6 个回答。邀请回答 denxinan 该类别下有 6 个回答。邀请回答 zhangminmin 该类别下有 6 个回答。邀请回答发烧友推温针该类别下有 6 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 5 个回答。邀请回答 fanB 该类别下有 5 个回答。邀请回答好名字该类别下有 5 个回答。邀请回答 hzp_bbs1 该类别下有 5 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 5 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 5 个回答。邀请回答红粉小Q猪该类别下有 5 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 5 个回答。邀请回答剪刀脚该类别下有 5 个回答。邀请回答敷衍作笑谈该类别下有 5 个回答。邀请回答哎呀2015 该类别下有 5 个回答。邀请回答费加罗该类别下有 5 个回答。邀请回答 efwedfd 该类别下有 5 个回答。邀请回答 abdkjshd 该类别下有 4 个回答。邀请回答举报剪刀脚相关推荐 • HSM引导加载程序的HSM闪存写入请求失败是什么原因导致的？ 202 • Aurix pFlash内存部分是如何在微控制器级别上创建ECC写入错误的？ 385 • 如何在运行时擦除/编程UCB？ 382 • TC275TP PFLASH中的一些地址在擦除后并不全是0x00，为什么？ 205 • TC377在EVAL_6EDL7141_TRAP_1SH发生之前是否有一个寄存器存储了该函数的地址？ 426 • XET256芯片PFlash读写功能问题 10764 • 将32字节数据写入TC3735中的pflash位置0xA013BFE0或0xA0133FE0，收到报错的原因？ 887 • 使用jtag擦除TC277的Pflash并进行编程，出现PROER错误的原因？ 210 • S32K3xx BootLoader闪存驱动程序，擦除或写入函数时会触发错误中断是什么原因？ 337 • TC275HSM能支持SecOC中的密钥刷新机制吗？ 610 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 要在HSM（硬件安全模块）中擦除或写入PFlash，您需要遵循以下步骤： 1. 首先，您需要确保您的HSM支持PFlash擦除和写入操作。这通常在HSM的数据手册或技术文档中有所说明。 2. 接下来，您需要找到与PFlash擦除和写入相关的寄存器。这些寄存器通常在HSM的技术文档或参考手册中有所列出。例如，您提供的示例代码中，DF1_ADDR_AA50、DF1_ADDR_AA58和DF1_ADDR_AAA8是与PFlash操作相关的寄存器。 3. 在了解相关寄存器后，您需要设置这些寄存器以执行PFlash擦除或写入操作。在您提供的示例代码中，以下操作被执行： - DF1_ADDR_AA50 = addr; // 设置PFlash的起始地址 - DF1_ADDR_AA58 = cnt; // 设置要擦除或写入的字节数 - DF1_ADDR_AAA8 = 0x80; // 设置擦除模式 - DF1_ADDR_AAA8 = 0x50; // 触发擦除操作 4. 在执行擦除或写入操作后，您需要等待操作完成。这通常通过检查状态寄存器（如示例代码中的REG_DMU_SF_STATUS）来实现。在示例代码中，操作完成的条件是REG_DMU_SF_STATUS寄存器的值不等于0x02。 5. 一旦操作完成，您可以继续执行其他任务，例如验证擦除或写入操作是否成功。关于操作DMU寄存器刷PFlash的时机，这取决于您的具体应用场景。通常，在需要更新HSM应用程序代码或修复错误时，您可能需要执行PFlash擦除和写入操作。要找到相关文档和演示代码，您可以： 1. 访问HSM制造商的官方网站，查找技术文档、参考手册或应用笔记。 2. 在线搜索与您的HSM型号相关的论坛、社区或博客，以获取其他开发者的经验和建议。 3. 如果您使用的是开发板或评估套件，通常制造商会提供一些示例代码和文档，以帮助您开始使用HSM。请注意，具体的操作步骤和寄存器设置可能因不同的HSM型号和制造商而有所不同。因此，建议您仔细阅读您所使用的HSM的技术文档，以确保正确执行PFlash擦除和写入操作。

2024-5-21 17:22:37 评论举报李华