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【经典案例】芯片漏电失效分析-LED芯片失效点分析(OBIRCH+FIB+SEM)

2021-2-26 15:09:51 3442 LED芯片

0 OBIRCH作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有LED芯片异常的漏电，它都可以产生亮点出来。原理：用激光束在通电恒压下的LED芯片表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果LED芯片存在缺陷点，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。该方法常用于LED芯片内部高阻抗及低阻抗分析，芯片漏电路径分析。金鉴实验室LED芯片漏电失效点分析(Obirch+FIB+SEM)检测报告数据！ 1
2021-2-26 15:09:51　　评论淘帖0 举报相关推荐 • LED芯片失效点分析(Obirch+FIB+SEM) 938 • FIB技术：芯片失效分析的关键工具 126 • LED芯片漏电点检测失效分析 1187 • LED芯片失效分析 2830 • LED芯片失效分析 3053 • LED芯片观察(扫描电镜)SEM失效分析 2088 • LED芯片失效分析 2048 • 芯片漏电点FIB切片分析 3113 • 失效分析OBIRCH热点测试 13267 • 芯片失效分析含义，失效分析方法 6722