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`海飞乐技术SOT-227封装IGBT模块现货替换VS-GB90DA120U。
SOT-227封装IGBT模块VS-GB90DA120U规格参数 最大连续集电极电流:90 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 最大栅极发射极电压:±20V 最大功率耗散:862 W 封装类型:SOT-227 安装类型:面板安装 通道类型:N 引脚数目:4 开关速度:60kHz 晶体管配置:单 长度:38.3mm 宽度:25.7mm 高度:12.3mm 尺寸:38.3 x 25.7 x 12.3mm 最低工作温度:-40℃ 最高工作温度:+150℃ 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 从功率MOSFET IGBT的结构演变在80年代期间,响应于需要增加的阻断电压。这是通过增加一个额外的PN结到MOSFET架构的漏极,形成双极晶体管结构和整体NPNP半导体实现。与目前制造大多数功率晶体管,该晶体管的结构是垂直的而不是水平的,与上述PNP双极性晶体管放置在管芯的背面侧的集电极。 AP或P +的浴盆,其中包含N掺杂阱连接的源极/发射极和栅极区。电流流经该浴池进入一个比较宽的N掺杂漂移区进入收集器。然而,因为它有一个MOSFET的绝缘栅,该装置作为一个整体保持电压控制而不是电流控制。互锁双极晶体管的增益需要被仔细控制以抑制操作作为NPNP晶闸管。 虽然它一般提供较高的电压隔离比的MOSFET,一个IGBT的架构意味着它不能切换为快,这限制了在逆变器中使用的开关频率,尽管在设备施工的最新进展已经推动有效开关频率向100千赫。效率的IGBT是由MOSFET的比低通态压降提高。此外,高电流密度可以更高的额定功率,以用更小的芯片比同等MOSET,从而提高了成本效益达到。 ` |
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