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本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 16:53 编辑
您好！ 我在使用官方的TMS570LS1224的LaunchPad时，使用官方提供的F021 Flash API 对内置的flash进行操作，在Fapi_setActiveFlashBank( Fapi_FlashBank0) 时，会出现错误异常，进入undefEntry 状态。 然后将Fapi_FlashBank0 改为Fapi_FlashBank7 程序就完好，并且擦写都正确。 我想问： 1. 是不是因为程序存储在Flash Bank 0 中，所以使用API 不能对BANK0进行操作？ 2. 如果要对Bank0进行擦写操作，有什么办法？ 需要将Flash API程序 弄到RAM中，然后在RAM中执行flash API 对 BANK0 进行擦写操作？ 3. 问下如何才能将FLASH API 或程序 弄到RAM中进行操作，有没有相关例程 或文档支持？ 麻烦回答了，再这先感谢回答的各位！ 
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你好 1.这个具体的要看你的cmd文件中的伪指令都对内存分配做了哪些操作，如果可以的话把你的cmd文件截图上来就容易对症下药。
2.这个问题是你伪指令不熟的原因，在cmd文件模块中可以通过load 和run定位程序的烧写和运行位置。 |
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骷髅玫瑰 发表于 2018-5-25 09:39 谢谢两位，我在官网找到了关于如何在.cmd文件中将Falsh搬运到Ram的方法，并能成功使用F021 Flash API 擦写Bank 0 . 但是，我配合使用RTI定时中断时，使用Flash API 进行擦写 会进入 prefetchEntry， 如果使用查询RTI定时器中断标志位的方法的话，Flash API 擦写又正确。 不知道有么有人有相关的TMS570开发经验或解答下什么问题 |
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7346634623q 发表于 2018-5-25 09:53 已经解决了，封贴，谢谢各位 |
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7346634623q 发表于 2018-5-25 09:53 楼主能否讲解一下具体方法，多谢。 |
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