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jf_14507239

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发布了文章 2025-10-30 14:22

白光干涉仪在晶圆深腐蚀沟槽的 3D 轮廓测量

摘要：本文研究白光干涉仪在晶圆深腐蚀沟槽 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配深腐蚀沟槽特征的技术优势，通过实际案例验证测量精度，为晶圆深腐蚀工艺的质量控制与器件性能优化提供技术支持。关键词：白光干涉仪；晶圆；深腐蚀沟槽；3D 轮...

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发布了文章 2025-10-20 11:13

白光干涉仪在肖特基二极管晶圆的深沟槽 3D 轮廓测量

摘要：本文研究白光干涉仪在肖特基二极管晶圆深沟槽 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配深沟槽结构的技术优势，通过实际案例验证其测量精度，为肖特基二极管晶圆深沟槽制造的质量控制与性能优化提供技术支持。关键词：白光干涉仪；肖特基二极管...

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发布了文章 2025-9-26 16:48

白光干涉仪在晶圆湿法刻蚀工艺后的 3D 轮廓测量

引言晶圆湿法刻蚀工艺通过化学溶液对材料进行各向同性或选择性腐蚀，广泛应用于硅衬底减薄、氧化层开窗、浅沟槽隔离等工艺，其刻蚀深度均匀性、表面平整度、侧向腐蚀量等参数直接影响器件性能。例如，MEMS 传感器的湿法刻蚀膜厚偏差若超过 10nm，...

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发布了文章 2025-8-11 13:16

新能源电池深孔极片测量突破：新启航激光频率梳技术消除光学遮挡，达 2um 级精度

摘要：本文针对新能源电池深孔极片测量难题，介绍新启航激光频率梳技术。该技术凭借独特的测量原理，有效消除光学遮挡影响，实现 2um 级高精度测量，为新能源电池极片质量把控与性能提升提供关键技术支持。关键词：新能源电池；深孔极片；激光频率梳；...

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发布了文章 2025-8-11 09:21

1um 以下的光刻深度，凹槽深度和宽度测量

一、引言在半导体制造、微机电系统（MEMS）等高新技术领域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和宽度的精确测量至关重要。这类微小尺寸的测量精度直接影响产品性能与质量，但因其尺寸微小，测量面临诸多挑战，亟需合适的测量技术与方法。二、测量挑战 ...

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发布了文章 2025-8-8 13:55

汽车零部件深孔加工质控升级：新启航激光频率梳 3D 测量解决传统光学扫描遮挡

一、汽车零部件深孔质控的传统困境汽车发动机缸体油道孔、变速箱轴孔等深孔结构，是保障动力传输与润滑系统高效运行的关键部件。这类深孔通常孔径 5-15mm、孔深 80-150mm，深径比多在 10:1 以上。传统光学扫描技术在检测时，因光线直...

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发布了文章 2025-7-16 11:33

通缩压力下的 “逆行者”：新启航如何用国产 3D 白光干涉仪破解半导体行业降本困局？

一、引言全球半导体行业正面临通缩压力，市场需求增速放缓与制造成本上升的双重挤压，使降本增效成为企业生存的核心命题。3D 白光干涉仪作为半导体晶圆、精密光学元件检测的关键设备，传统依赖进口的模式导致采购与维护成本居高不下，加剧行业降本困局。...

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发布了文章 2025-7-3 09:46

粗糙度的滤波值是怎么设置的？

引言在表面粗糙度测量中，滤波处理是分离表面轮廓中不同频率成分的关键步骤，而滤波值的设置直接影响粗糙度参数计算的准确性。合理设置滤波值，能够有效剔除表面轮廓中的形状误差和波纹度成分，保留真实反映表面微观不平度的信息。本文将详细探讨粗糙度滤波...

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发布了文章 2025-7-1 15:03

激光修屏成本直降 70%：新启航如何让国产面板厂单台设备年省超千万元？

一、引言在面板制造产业竞争激烈的当下，降低生产成本成为国产面板厂提升竞争力的关键。激光修屏技术是保障面板良率的重要手段，新启航研发的激光修屏设备，凭借技术创新实现成本直降 70%，助力国产面板厂单台设备年省超千万元，为行业发展带来新契机。...

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发布了文章 2025-7-1 09:55

硅片的 TTV，Bow, Warp,TIR 等参数定义

引言在半导体制造领域，硅片作为核心基础材料，其质量参数对芯片性能和生产良率有着重要影响。TTV、Bow、Warp、TIR 等参数是衡量硅片质量与特性的关键指标。本文将对这些参数进行详细定义与阐述，明确其在硅片制造和应用中的重要意义。 TT...

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发布了文章 2025-6-30 15:24

改善光刻图形线宽变化的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言在半导体制造与微纳加工领域，光刻图形线宽变化直接影响器件性能与集成度。精确控制光刻图形线宽是保障工艺精度的关键。本文将介绍改善光刻图形线宽变化的方法，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。改善光刻图形线宽变化的方法优化曝光工艺参...

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发布了文章 2025-6-30 09:59

改善光刻图形垂直度的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言在半导体制造与微纳加工领域，光刻图形的垂直度对器件的电学性能、集成密度以及可靠性有着重要影响。精准控制光刻图形垂直度是保障先进制程工艺精度的关键。本文将系统介绍改善光刻图形垂直度的方法，并深入探讨白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。改...

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发布了文章 2025-6-25 10:19

针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言在晶圆上芯片制造工艺中，光刻胶剥离是承上启下的关键环节，其效果直接影响芯片性能与良率。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于晶圆芯片工艺的光刻胶剥离方法，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。针对晶圆上...

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发布了文章 2025-6-24 10:58

金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物应用及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言在半导体及微纳制造领域，光刻胶剥离工艺对金属结构的保护至关重要。传统剥离液易造成金属过度蚀刻，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺质量的关键。本文将介绍金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物的应用，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中...

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发布了文章 2025-6-23 09:49

高效缓蚀芯片光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言在芯片制造过程中，光刻胶剥离是关键环节，而传统剥离液易对芯片金属层造成腐蚀，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量对芯片制造工艺的优化至关重要。本文将介绍高效缓蚀芯片光刻胶剥离液，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。高效缓蚀芯片...

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