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循环经济 2.0：海翔科技如何用区块链技术追溯二手设备全生命周期
2025-6-27 09:58

摘要：在循环经济 2.0 时代，资源高效利用与透明化管理成为核心诉求。海翔科技创新性地将区块链技术应用于二手半导体设备全生命周期追溯，为行业发展提供新范式。本文通过分析循环经济 2.0 背景下的行业需求，阐述区块链技术在...

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自动对刀技术对碳化硅衬底切割起始位置精度的提升及厚度均匀性优化
2025-6-26 09:46

摘要：碳化硅衬底切割对起始位置精度与厚度均匀性要求极高，自动对刀技术作为关键技术手段，能够有效提升切割起始位置精度，进而优化厚度均匀性。本文深入探讨自动对刀技术的作用机制、实现方式及其对切割工艺优化的重要意义。一、引言...

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碳化硅衬底切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型
2025-6-25 11:22

摘要：碳化硅衬底切割过程中，进给量与磨粒磨损状态紧密关联，二者协同调控对提升切割质量与效率至关重要。本文深入剖析两者相互作用机制，探讨协同调控模型构建方法，旨在为优化碳化硅衬底切割工艺提供理论与技术支撑。一、引言碳...

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晶圆边缘 TTV 测量的意义和影响
2025-6-14 09:42

摘要：本文探讨晶圆边缘 TTV 测量在半导体制造中的重要意义，分析其对芯片制造工艺、器件性能和生产良品率的影响，同时研究测量方法、测量设备精度等因素对测量结果的作用，为提升半导体制造质量提供理论依据。关键词：晶圆边缘...

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基于进给量梯度调节的碳化硅衬底切割厚度均匀性提升技术
2025-6-13 10:07

碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提供了新思路，对推动碳化硅衬底加工技术发展具有重要价值。技...

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切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化
2025-6-12 10:03

引言在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响 ...

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碳化硅衬底厚度测量探头温漂与材料各向异性的耦合影响研究
2025-6-11 09:57

在碳化硅衬底厚度测量中，探头温漂与材料各向异性均会影响测量精度，且二者相互作用形成耦合效应。深入研究这种耦合影响，有助于揭示测量误差根源，为优化测量探头性能提供理论支撑。耦合影响机制分析材料各向异性对温漂的促进作...

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碳化硅衬底高温加工场景下测量探头温漂的动态修正方法
2025-6-6 09:37

引言碳化硅衬底高温加工过程中，温度的剧烈变化会引发测量探头温漂，严重影响衬底厚度等参数的测量精度，进而干扰加工工艺的精准控制。探寻有效的动态修正方法，是保障高温加工质量与效率的关键所在。温漂影响因素分析在高温加...

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基于光纤传感的碳化硅衬底厚度测量探头温漂抑制技术
2025-6-5 09:43

引言在碳化硅衬底厚度测量中，探头温漂是影响测量精度的关键因素。传统测量探头受环境温度变化干扰大，导致测量数据偏差。光纤传感技术凭借独特的物理特性，为探头温漂抑制提供了新方向，对提升碳化硅衬底厚度测量准确性意义重大。 ...

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碳化硅衬底厚度测量中探头温漂的热传导模型与实验验证
2025-6-4 09:37

引言在碳化硅衬底厚度测量过程中，探头温漂会严重影响测量精度。构建探头温漂的热传导模型并进行实验验证，有助于深入理解探头温漂的产生机理，为提高测量准确性提供理论依据与技术支持。热传导模型构建模型假设与简化为便...

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碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪器的选型指南与应用场景分析
2025-6-3 13:48

引言碳化硅衬底 TTV（总厚度变化）厚度是衡量其质量的关键指标，直接影响半导体器件性能。合理选择测量仪器对准确获取 TTV 数据至关重要，不同应用场景对测量仪器的要求存在差异，深入分析选型要点与应用适配性，有助于提升...

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MICRO OLED 金属阳极像素制作工艺对晶圆 TTV 厚度的影响机制及测量优化
2025-5-29 09:43

引言在 MICRO OLED 的制造进程中，金属阳极像素制作工艺举足轻重，其对晶圆总厚度偏差（TTV）厚度存在着复杂的影响机制。晶圆 TTV 厚度指标直接关乎 MICRO OLED 器件的性能与良品率，因此深入探究二者...

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晶圆背面减薄过程，对晶圆TTV 的管控
2025-5-28 09:40

摘要：本文聚焦晶圆背面减薄过程中晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，从减薄工艺参数优化、设备性能提升、检测与反馈机制完善等方面，系统阐述有效的 TTV 管控方法，旨在减少减薄过程对晶圆 TTV 的不良影响，保障晶圆制造质...

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晶圆修边处理后，晶圆 TTV 变化管控
2025-5-27 09:22

关键词：晶圆修边；TTV 变化；工艺参数；设备改进；检测反馈一、引言晶圆修边是半导体制造过程中的重要环节，可去除晶圆边缘的缺陷与多余材料，降低后续工艺中晶圆破裂风险。但修边处理会使晶圆边缘受力，内部应力重新分布，导致...

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提高键合晶圆 TTV 质量的方法
2025-5-26 09:24

关键词：键合晶圆；TTV 质量；晶圆预处理；键合工艺；检测机制一、引言在半导体制造领域，键合晶圆技术广泛应用于三维集成、传感器制造等领域。然而，键合过程中诸多因素会导致晶圆总厚度偏差（TTV）增大，影响器件性能与良品...

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