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大尺寸玻璃晶圆（12 英寸 +）TTV 厚度均匀性提升技术
2025-10-17 13:40

一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圆在半导体制造、显示面板、微机电系统等领域扮演着关键角色。总厚度偏差（TTV）的均匀性直接影响晶圆后续光刻、键合、封装等工艺的精度与良率。然而，随着晶圆尺寸增大，实现 TTV...

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【海翔科技】玻璃晶圆 TTV 厚度对 3D 集成封装可靠性的影响评估
2025-10-14 15:24

一、引言随着半导体技术向小型化、高性能化发展，3D 集成封装技术凭借其能有效提高芯片集成度、缩短信号传输距离等优势，成为行业发展的重要方向。玻璃晶圆因其良好的光学透明性、化学稳定性及机械强度，在 3D 集成封装中得...

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【新启航】深度学习在玻璃晶圆 TTV 厚度数据智能分析中的应用
2025-10-11 13:32

一、引言玻璃晶圆总厚度偏差（TTV）是衡量晶圆质量的关键指标，其精确分析对半导体制造、微流控芯片等领域至关重要。传统 TTV 厚度数据分析方法依赖人工或简单算法，效率低且难以挖掘数据潜在规律。随着深度学习在数据处...

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【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度在光刻工艺中的反馈控制优化研究
2025-10-9 16:29

一、引言玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛，光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节，对玻璃晶圆的质量要求极为严苛。总厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圆质量的重要指标，其厚度的均匀性直接影响光刻工艺中...

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【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度测量数据异常的快速定位与解决方案
2025-9-29 13:32

一、引言玻璃晶圆总厚度偏差（TTV）测量数据的准确性，对半导体器件、微流控芯片等产品的质量把控至关重要。在实际测量过程中，数据异常情况时有发生，不仅影响生产进度，还可能导致产品质量隐患。因此，研究玻璃晶圆 TTV...

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【新启航】《超薄玻璃晶圆 TTV 厚度测量技术瓶颈及突破》
2025-9-28 14:33

我将从超薄玻璃晶圆 TTV 厚度测量面临的问题出发，结合其自身特性与测量要求，分析材料、设备和环境等方面的技术瓶颈，并针对性提出突破方向和措施。超薄玻璃晶圆（...

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[新启航]碳化硅 TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向
2025-9-22 09:53

一、引言碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料的代表，在功率器件、射频器件等领域发挥着关键作用。总厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅衬底及外延片质量的重要指标，其精确测量对保障碳化硅器件性能至关重要。随着碳化硅产业向大尺寸、...

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【新启航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均匀性提升技术
2025-9-20 10:10

一、引言随着半导体产业的迅猛发展，碳化硅（SiC）作为关键的宽禁带半导体材料，其应用愈发广泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圆在提高芯片生产效率、降低成本方面具有显著优势。然而，大尺寸带来的挑战之一便是如何保证总厚度...

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白光干涉仪在EUV光刻后的3D轮廓测量
2025-9-20 09:16

EUV（极紫外）光刻技术凭借 13.5nm 的短波长，成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺，其光刻后形成的三维图形（如鳍片、栅极、接触孔等）尺寸通常在 5-50nm 范围，高度 50-500nm。...

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白光干涉仪在浸没式光刻后的3D轮廓测量
2025-9-20 11:12

浸没式光刻（Immersion Lithography）通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体（如超纯水，n≈1.44），突破传统干法光刻的分辨率极限，广泛应用于 45nm 至 7nm 节点芯片制造。...

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【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究
2025-9-18 14:44

一、引言碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响，其中生长工艺参数起着决定性作用。深入研究碳化硅外延...

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【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法
2025-9-16 13:33

一、引言碳化硅（SiC）凭借优异的物理化学性能，成为功率半导体器件的核心材料。总厚度偏差（TTV）作为衡量 SiC 衬底质量的关键指标，其精确测量对器件性能和可靠性至关重要。然而，碳化硅独特的晶体结构赋予其显著的各向异...

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碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制研究
2025-9-11 11:56

一、引言化学机械抛光（CMP）工艺是实现碳化硅（SiC）衬底全局平坦化的关键技术，对提升衬底质量、保障后续器件性能至关重要。总厚度偏差（TTV）作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确控制是 CMP 工艺的重要目标...

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探针式与非接触式碳化硅 TTV 厚度测量方法对比评测
2025-9-10 10:26

一、引言碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料，在功率器件、射频器件等领域应用广泛。总厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅衬底质量的关键指标，准确测量 TTV 对保障器件性能至关重要。目前，探针式和非接触式是碳化硅 TTV 厚...

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【新启航】碳化硅 TTV 厚度与表面粗糙度的协同控制方法
2025-9-4 09:34

摘要本文围绕碳化硅晶圆总厚度变化（TTV）厚度与表面粗糙度的协同控制问题，深入分析二者的相互关系及对器件性能的影响，从工艺优化、检测反馈等维度提出协同控制方法，旨在为提升碳化硅衬底质量、保障半导体器件性能提供技术方案...

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