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jf_24263545
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FAB PE 芯联集成
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  • 赞同了文章 2025-5-24 15:02

    离子注入工艺中的重要参数和监控手段
    本文简单介绍了离子注入工艺中的重要参数和离子注入工艺的监控手段。 在硅晶圆制造过程中，离子的分布状况对器件性能起着决定性作用，而这一分布又与离子注入工艺的主要参数紧密相连。 离子注入技术的主要参数涵盖了离子源的类型、注入剂量、注入能量、注入...
    1
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  • 关注了用户 2025-4-5 10:20
  • 关注了标签 2025-3-3 05:45

    IGBT

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    集成电路

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  • 关注了频道 2025-1-19 16:47

    电子说
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  • 赞同了文章 2025-1-18 18:28

    IGSS对栅极驱动漏电流的影响
    dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。...
    2
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  • 关注了标签 2025-1-18 18:15

    离子注入

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