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杨茜

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业务总监深圳市倾佳电子有限公司

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为何国产650V碳化硅MOSFET成为超结MOSFET的噩梦
2025-3-13 21:57

国产650V碳化硅（SiC）MOSFET之所以成为超结（Super Junction, SJ）MOSFET的“噩梦”，主要源于其在性能、成本、应用场景及产业链支持等方面的全面突破。国产650V碳化硅MOSFET通过“性能...

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碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常见问题Q&A
2025-3-13 11:12

碳化硅（SiC）MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件，在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势，随着国产碳化硅MOSFET技术、成本及供应链都日趋完善，国产SiC碳化硅在电力电子应用中全面取代...

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全球功率半导体变革：SiC碳化硅功率器件中国龙崛起
2025-3-13 00:27

功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起：从技术受制到全球引领的历程与未来趋势当前功率器件正在经历从传统的硅基功率器件持续跃升到SiC碳化硅材料功率半导体的历史变革：倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子...

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国产SiC碳化硅模块解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势
2025-3-11 06:28

BMF240R12E2G3解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势分析一、效率提升：高频、低损耗与高温稳定性低导通电阻与开关损耗优势 BMF240R12E2G3的导通电阻（RDS(on)）为5.5mΩ，显著低于同类竞...

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中国制造2025：SiC碳化硅功率半导体的高度国产化
2025-3-9 09:21

碳化硅功率半导体的高国产化程度是中国制造2025战略的典型成果，通过政策引导、产业链整合、技术创新与市场需求共振，实现了从“进口替代”到“全球竞争”的跨越。这一进程不仅提升了中国在高端制造领域的国际地位，还为新能源革...

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SiC模块解决储能变流器PCS中SiC MOSFET双极性退化失效痛点
2025-3-9 06:44

碳化硅（SiC） MOSFET的双极性退化（Bipolar Degradation）是其在实际应用中面临的重要可靠性问题，尤其在储能变流器（PCS）等高功率、高频应用场景中矛盾尤为突出。在储能变流器中，SiC MOSFE...

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国产碳化硅MOSFET解决LLC功率调整时的硬开关损耗痛点
2025-3-7 07:30

LLC谐振转换器的核心优势在于软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC MOSFET结合后，LLC在高频、高温、高可靠性场景中的性能进一步提升...

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2025被广泛视为SiC碳化硅在电力电子应用中全面替代IGBT的元年
2025-3-7 09:17

2025年被广泛视为碳化硅（SiC）器件在电力电子应用中全面替代IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的元年，在于国产SiC（碳化硅）单管和模块价格首次低于进口IGBT（绝缘栅双极型晶体管）单管及模块，2025年伊始电力电子行业...

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国产碳化硅功率器件赋能飞跨电容升压方案取代2000V器件两电平方案
2025-3-6 09:10

国产碳化硅功率器件赋能飞跨电容MPPT方案取代2000V器件两电平升压方案一、飞跨电容三电平技术的专利归属与特色 1. 专利归属：中国企业主导核心技术布局飞跨电容三电平技术近年来在中国企业中快速发展，多个核心专利由国...

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CREE（Wolfspeed）的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示
2025-3-5 07:27

中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程，以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示，可以归纳为以下几个关键点：一、从垄断到突破：中国碳化硅材料的逆袭之路 CREE（Wolfspeed）的垄断与衰落技术垄断期...

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深度分析与解读功率半导体发展走向的“三个必然”及其产业影响
2025-3-4 08:05

深度分析与解读功率半导体发展走向的“三个必然”及其产业影响一、功率半导体发展的“三个必然”的技术内涵与历史性变革分析与解读功率半导体发展走向的“三个必然”历史性变革及其产业影响的“三个必然”—— SiC碳化硅MO...

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国产SiC模块赋能充电桩电源模块功率等级跳跃和智能电网融合
2025-3-5 16:50

综合分析充电桩电源模块的功率等级发展趋势及国产SiC模块的关键作用，国产SiC模块赋能充电桩电源模块功率等级跳跃和智能电网融合 1. 未来充电桩模块的功率级别随着电动汽车对快速充电需求的增长，充电桩电源模块的功率等级正...

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国产SiC模块赋能组串式储能变流器（PCS）助力能源高效利用
2025-3-3 06:48

SiC模块 BMF240R12E2G3 成为组串式储能变流器（PCS）首选功率模块并全面取代 IGBT 模块和 IGBT 单管方案的核心原因如下： BMF240R12E2G3 的核心优势高频高效，损耗显著降低低导通损...

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见证功率半导体历史：SiC碳化硅MOSFET价格首次低于IGBT！
2025-3-3 16:28

进入2025年以来，全行业出现SiC碳化硅MOSFET价格开始低于传统IGBT的现象，比行业认知提前十几年见证功率半导体历史拐点：SiC碳化硅MOSFET价格开始低于IGBT！主要源于技术突破、产能扩张与市场需求的共同作...

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国产碳化硅MOSFET全面开启对超结MOSFET的替代浪潮
2025-3-2 11:57

碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超结（SJ）MOSFET的趋势分析及2025年对电源行业的影响一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性性能优势显著高频高效：SiC MOSFET的开关频率（如B3...

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