电子发烧友网报道(文/梁浩斌)闻泰科技旗下安世半导体近日宣布,计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品,包括SiC和GaN。与此同时,安世半导体的第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已经在2024年6月投入使用,下一个目标是未来两年在德国汉堡工厂里建设8英寸的SiC MOSFET和低压GaN HEMT产线。 虽然8英寸SiC当前产能在整个市场中占比并不高,不过作为降低SiC成本的重要技术路线,最近又有了不少新的进展。 8英寸产线逐步投产,龙头老大
梁浩
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