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可控硅结构静电防护器件的防闩锁工程
2024-6-22 00:54

维持电压低易闩锁是高性能可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。为了避免SCR静电防护器件在CMOS集成电路芯片正常工作状态下被噪声偶然触发并进入闩锁...

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低触发电压可控硅结构静电防护器件
2024-6-22 00:52

可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点，但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电...

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多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧
2024-6-22 00:50

栅极接地NMOS是一种广泛应用的片上ESD器件结构，为达到特定ESD防护等级，一般会采用多叉指版图形式来减小器件占用的芯片面积。但是，多叉指栅极接地NMOS在ESD应力作用下，各个叉指难于做到均匀开启，无法达到预期ESD...

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片上集成TVS器件保护总线接口芯片
2024-6-22 00:45

物联网组网将使得数据通信量骤增，而室外组网的高严苛和高噪声环境对数据传输的可靠性提出了更高的要求。因静电而造成的瞬态过压将影响数据传输的正确性，甚至损坏总线数据收发芯片。本文以RS485总线接口芯片为例，讲述内置TVS器...

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静电测试模型与标准
2024-6-22 00:43

电子产品的静电失效来源于生产、装配、封装、运输、组装和测试各个环节。为了模拟电子产品在不同环境中的不同放电方式，以期完整地评估电子产品对静电放电的敏感度，国内外各大组织机构已构建了相应的静电放电模式和测试标准。...

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全芯片ESD防护网络
2024-6-22 00:31

据统计，静电放电(Electro-Static Discharge, ESD)造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的38%。完好的全芯片ESD防护设计，一方面取决于满足ESD设计窗口要求的优质ESD器件结构，另一方面全...

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TVS二极管的选取
2024-6-22 00:29

瞬态电压抑制器在承受瞬间高能量脉冲时，能在极短的内由原来的高阻抗状态变为低阻抗，并把电压箝制到特定的水平，从而有效地保护用户的设备和元器件不受损坏，可应用于家用电器、电子仪器、精密设备、计算机系统、通讯设备、RS232&...

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什么是TVS二极管
2024-6-22 00:25

雷击浪涌和电气过压组件有气体放电管、陶瓷放电管、压敏电阻、瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor，TVS)。放电管的耐电流能力很强，但是其反应速度慢，箝制电压也非常高;压敏电阻的寄生电容...

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高压功率IC片上静电防护器件之版图形式
2024-6-22 00:21

导语：nLDMOS已经被广泛应用在电源管理芯片、LED/LCD驱动、便携产品和汽车电子等功率IC领域，其优点是：它可以被同时用作内核电路的输出驱动管和输出端口的ESD箝位器件。湖南静芯微电子技术有限公司研究发现，nLDM...

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高压功率IC片上静电防护器件之BSDOT结构
2024-6-22 00:17

导语：LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，...

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高压功率IC片上静电防护器件
2024-6-22 00:13

导语：LDMOS晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)已广泛应用于电源管理集成电路、LED/LCD驱动器、手持和汽车电子等高压功率集成电...

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静芯微发布业内最大功率用于RS485芯片总线防护的ESD器件SENC712HA
2024-6-20 23:11

介绍湖南静芯推出RS485总线防护用业内最大功率800W(竞品600W)ESD器件SENC712HA，该器件在SOT-23封装内集成了两路非对称电压（-7V~12V）的ESD防护器件，和业内竞品相比通流能力显著提升，钳...

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