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FAE工程师 静芯微电子技术有限公司
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  • 发布了文章 2024-6-22 00:17

    高压功率IC片上静电防护器件之BSDOT结构
    导语：LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相同面积下将LDM...
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  • 发布了文章 2024-6-22 00:13

    高压功率IC片上静电防护器件
    导语：LDMOS晶体管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)已广泛应用于电源管理集成电路、LED/LCD驱动器、手持和汽车电子等高压功率集成电路。了解LDMOS的...
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  • 发布了文章 2024-6-20 23:11

    静芯微发布业内最大功率用于RS485芯片总线防护的ESD器件SENC712HA
    介绍 湖南静芯推出RS485总线防护用业内最大功率800W(竞品600W)ESD器件SENC712HA，该器件在SOT-23封装内集成了两路非对称电压（-7V~12V）的ESD防护器件，和业内竞品相比通流能力显著提升，钳位电压显著下降，能对...
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  • 更新了头像 2024-6-20 00:10
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