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jf_40330827

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收藏了文章 2024-7-1 21:43

常见的PMOS开关电路问题分析

当控制信号PWR_EN为高时，三极管Q1导通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分压作用，MOS管M1的Vgs会有压差Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2)，即M1最终会导通。...

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赞同了文章 2024-7-1 16:42

常见的PMOS开关电路问题分析

当控制信号PWR_EN为高时，三极管Q1导通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分压作用，MOS管M1的Vgs会有压差Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2)，即M1最终会导通。...

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关注了版块 2024-7-1 13:55

电路设计论坛
230700 人关注
赞同了文章 2024-6-29 14:06

MOSFET栅极驱动电路设计方案

必须在基极和发射极之间施加电流，以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET，当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...

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参与学习了课程 2024-6-3 10:46

WiFi使能模拟开关电路实战小项目

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