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jf_27590559

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pe ym

北京市东城区丨设计开发工程师

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GaN和SiC区别

Hrf1234
业务深圳市萨科微半导体有限公司

半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC半导体材料可实现比硅 ...

来源：电源技术论坛标签： GaN SiC

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