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jf_89910746

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赞同了文章 2024-3-8 11:09

台积电：未来十年的CMOS器件技术

添加更多的栅极（例如在 FinFET 中），将使其中的沟道被限制在三个栅极之间，从而能够将 Lg 缩放到沟道厚度的大约 2.5 倍。FinFET 已经从英特尔最初采用的高度倾斜鳍壁（highly sloped fin walls ）的 22...

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