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  • 材料领域中,第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体,或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成Ⅲ—Ⅴ族半导体。我国使...
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  • 氮化镓主要用于LED(发光二极管)、微电子(微波功率和电力电子器件)、场效电晶体(MOSFET)...
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  • 氮化镓芯片是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料,很多特性都强于传统的硅基半导体。...
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  • 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻,GaN基功率器件明显优于硅基器件。 GaN晶体可以在各种衬底上生长,包括蓝宝石、...
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  • 氮化镓(GaN)是一种由氮和镓组成的半导体材料,因其禁带宽度大于2.2eV,故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料,也是在蓝色发光器件中具有重要应用价值的半导体。。GaN材料的研究和应用是目前全球半导体研究...
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  • 氮化镓(GaN)作为一种宽带隙化合物半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、导热系数高、开关频率高、抗辐射能力强等优点。 其中,高开关频率意味着应用电路可以使用更小的无源器件; 高击穿电压意味着耐压能力高于传统硅材料,不...
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  • 氮化镓(GaN)功率芯片将多个电力电子功能集成到一颗GaN芯片中,可有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情况下,GaN功率芯片可以使先进的功率转换拓扑从学术概念和理论达到行业标准,并成为量产设计的催化剂。...
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  • 光伏发电是SIC器件除新能源汽车领域之外的第二个应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要用于将太阳能电池组件发出的直流电转换为交流电。随着光伏产业进入“大组件、大逆变器、大跨支架、大组串”时代,光伏电站电压等级将...
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  • 氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。 传统...
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  • 早在2019年,做为3C配件市场发展风向标的香港电子展,我们就已经察觉到氮化镓快充发展的迅猛势头:2019年4月份春节展,8款氮化镓充电器新品参展;而到了2023年的电源展,氮化镓充电器新品多达数百款,不到5年增长近大几...
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  • KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封装的650V(200mΩ)氮化镓(GaN)。它是一款常关器件,将KeepTops最新的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。应用于快速充电器...
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