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  • 碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,与传统的硅基功率器件相比,在某些特定条件下具有独特的优势,但也存在一定的不足。KeepTops告诉你碳化硅MOS管的优点和缺点。...
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  • SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿电场、高电子饱和漂移速...
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  • 功率器件的功能是对电能进行处理、转换和控制。硅基功率器件相比,采用碳化硅衬底制作的功率器件具有耐高压、耐高温、能量损耗小、功率密度高等优点,可实现功率模块的小型化和轻量化。与相同规格的硅基MOSFET相比,碳化硅基MOS...
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  •   随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代,能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始成为市场宠儿,开启了第三代半导体的新纪元。...
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  • 碳化硅又称金刚砂,是以石英砂、石油焦、木屑、食盐等为原料,经电阻炉高温冶炼而成。事实上,碳化硅在很久以前就被发现了。其特点是:化学性能稳定,导热系数高,热膨胀系数小,耐磨性好,硬度高(莫氏硬度等级为9.5级,仅次于世界上...
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  • 当今开关电源设计中的五大问题: (1)高效率,(2)高功率密度,(3)低待机功耗,(4)高可靠性,(5)低成本。随着PD和适配器行业的发展,需要相同或更快的充电时间、更大的功率和更高的输出电压的大容量电池的趋势正在加快...
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  • 功率半导体的技术和材料创新,致力于提高能量转换效率(理想转换率为100%)。基于SiC材料的功率器件比传统的Si基功率器件具有更高的效率和更低的损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏风电、不间断电源、家用电器和工业控制等领域,...
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  • Keep Tops继年初推出KT65C1R200D 等氮化镓功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化镓功率芯片,Keep Tops产品将高性能、高可靠性电流控制PWM开关控制与GaN...
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  • 选择氮化镓芯片时,根据应用的需求,确定所需的性能指标,包括功耗、频率、工作温度范围等。不同型号的氮化镓芯片有不同的性能特点,需要根据具体的应用场景选择合适的型号。考虑芯片的可靠性和稳定性,包括寿命、耐压、抗干扰等方面的指...
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  • 氮化镓芯片在快充技术中扮演着重要的角色,氮化镓芯片可以作为控制器和管理器,监测和调整充电电流、电压和充电模式,确保快充过程的安全和稳定。它可以精确控制充电速度和电池的充电状态,避免过充、过放和过热等问题,保护电池和设备的...
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  • 氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料,整体发展较晚,渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展,第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度等特点。与第一代硅基半导体和第二代砷化邈相比。该设备具有更大的功率和...
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  • GaN(KT65C1R200D)具有高带隙、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点。因此,GaN比Si更适合于大功率和高频功率器件。具有体积小、散热容易、损耗低、功率大等优点。GaN充电器的主要成本来自氮化镓,MOS功率芯片...
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  • 对于近几年的电子产品来说,随着充电技术的普及,快速充电技术在各种电子设备上得到了普及。我们经常在智能手机上看到40W快充、65W快充等字样。充电环节中最重要的充电器,氮化镓充电器也逐渐进入了我们的视线。那么氮化镓到底是什...
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  • 氮化镓是一种无机物质,化学式为GaN,是氮和镓的化合物,是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似,硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙,可用于高功率、高速光电元件。...
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  • 如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。...
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