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  • 随着科学技术的不断进步,电力电子设备的应用越来越广泛,而氮化镓(GaN)材料在提高能源效率方面发挥着重要作用。本文将讨论氮化镓材料的特性,氮化镓在电力电子设备中的应用,以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。...
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  • 氮化镓(GaN)是电力电子行业的一个热门话题,因为它可以实现80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车(EV)车载充电器和电动汽车(EV)充电站等设计。在许多特定的应用中,GaN已经取代了传统的MOSFET晶体管,由于...
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  • 氮化镓快充技术的普及,绝不仅仅是成品数量的增加而已,更重要的是,在芯片层面,氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家,产品类型多样,主控芯片品牌超过十个,使后续的氮化镓快充市场多元化。开发开辟了最关键的一环...
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  • 随着科技的不断进步,电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中,第三代半导体氮化镓(GaN)技术成为了焦点,其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。 在传统的硅基材料中,电力电子器件的性能已经逐渐达到了极限。...
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  • 作为氮化镓快充控制器国产化的先行者,KeepTops率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控性,并成功量产集成GaN直驱的控制器。得到了业界的广泛认可,现已推出。 KeepTops继推出氮化镓控制器后,再次推出高集成度氮化镓...
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  • 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比,第三代半导体具有许多优势,这些优势源于新材料和器件结构的创新。...
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  • 氮化镓的好处

    2023-10-10 15:57
    GaN是一种宽禁带材料。因此,它的带隙(电子从价带移动到导带所需的能量)比硅宽得多:约3.4eV对1.12 eV。GaN HE MT增强的电子迁移率与更快的开关速度有关,因为通常积聚在结处的电荷可能消散得更快。 由于其...
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  • 碳化硅材料的半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅的成本已经下降了不少,但按市场性价比来看,同类型的硅材料与碳化硅半导体器件的价格相差十倍以上。碳化硅单晶可用于制造晶体管(二极管和晶体管)。由于碳化硅具有较大的禁带宽度,...
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  • 碳化硅是一种高性能的半导体材料。KeepTops的SiC肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可在电力电子技术领域突破硅的极限,成为新能源。以及用于电力电子装置的优选装置。...
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  • 与目前广泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的导热性,这决定了其高电流密度特性;其更高的带隙宽度决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点可归纳为以下几点...
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  • 在当今的高科技社会中,氮化镓(GaN)功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品,其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而,为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性,制定一套科学、规范的测...
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  • 作为第三代功率半导体的绝世双胞胎,氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体,是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。 氮化镓和碳化硅材料较大的禁...
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  • 作为第三代半导体材料,氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点,是制作功率芯片的理想材料。如今,电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率,减少热量的产生,并且缩小了充电器的体积,使用...
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  • 在碳化硅电力电子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天,SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点,一直被视为理想器件而备受期待。不过,与以往的Si材料器件相比,Si...
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  • 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管,与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。...
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