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电阻率在电子电力学中为何如此重要?
2025-4-1 10:39

电阻率是电子学和材料科学中的一个基本概念，尤其是在设计电路和选择电子元器件材料时。它在理解材料在电流作用下的行为中扮演着至关重要的角色。本教程将涵盖电阻率的定义、测量单位、计算方法、影响电阻率的因素，以及它对电子工程师和...

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Vishay推出第4.5代650V E系列高效能电源MOSFET
2025-3-27 11:49

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的电源半导体技术创新——第4.5代650VE系列电源MOSFET，型号为SiHK050N65E。该产品的推出旨在提升电信、工业和计算领域的功率转换效率...

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创新非对称瞬态电压抑制二极管在SiC MOSFET门保护中的应用
2025-3-27 11:48

保护半导体设备和电子设备是任何稳健的电源管理和电路设计的关键。在本文中，我们将重点介绍非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，这些二极管非常适合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的门保护。瞬态保护设备瞬态尖峰可以由雷电、...

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探讨RC电路在逆变器设计中的应用与限制
2025-3-26 12:00

不可能用简单的RC电路制作逆变器，我们注意到逆变器的重要性，因为这些设备在光伏系统中至关重要。不幸的是，重现一个完美的正弦波形(频率f0=50/60Hz)非常困难，甚至是不可能的。这意味着必然存在与f0成倍的谐波，如果系...

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全球芯片产业进入2纳米竞争阶段：台积电率先实现量产!
2025-3-25 11:25

随着科技的不断进步，全球芯片产业正在进入一个全新的竞争阶段，2纳米制程技术的研发和量产成为了各大芯片制造商的主要目标。近期，台积电、三星、英特尔以及日本的Rapidus等公司纷纷加快了在2纳米技术方面的布局，展现出对这一...

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智能功率模块在电动机驱动逆变器中的应用与优势分析
2025-3-25 11:23

在消费类和通用工业应用中，针对小型交流电动机的逆变器设计师面临着日益严格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑战。传统上，许多小型逆变器设计采用离散功率器件封装，并结合实现接口、驱动和保护功能所需的辅助组件。这种方法需要较大的复...

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Vicor在台湾推广48V电源模块：模块化设计的市场竞争优势
2025-3-24 11:38

近日，美系功率半导体模块厂商Vicor在中国台湾举办了一场媒体活动，重点宣传其最新的48V电源模块平台。此次活动吸引了众多媒体及行业专家的关注，凸显了Vicor在电源管理领域的创新实力和市场策略。Vicor在活动中强调，...

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浮思特 | 创新互补模型：提升功率电子转换器设计与仿真的新方法
2025-3-24 11:36

功率电子转换器可以视为由分段线性元件(传统元件如电阻、电感和电容是特例)与电压源、电流源、二极管和电子开关(如晶闸管、晶体管、MOSFET等)组成。在此背景下，我们将电子设备(ED)定义为任何具有分段线性电流-电压特性的...

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Microchip Technology委托麦格理集团出售亚利桑那州晶圆厂二号
2025-3-21 11:26

近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麦格理集团(MacquarieGroup)，负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂——晶圆厂二号的市场推广与出售。这标志着Microchip在调整其制造规模方面迈...

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SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势
2025-3-21 11:25

使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷，或氮化镓HEMT的零反向恢复电荷，使设计师能够制造比基于硅的替代品更小且高效的电力系统...

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Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用创新X.PAK封装技术
2025-3-20 11:18

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封装技术，称为X.PAK...

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SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合，提升电力转换性能
2025-3-20 11:16

使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC肖特基二极管SiC肖特基二...

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Navitas推出全球首款双向GaN功率IC
2025-3-19 11:15

近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)，此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。纳维塔斯首席执行官兼联合创始人...

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DSA技术：突破EUV光刻瓶颈的革命性解决方案
2025-3-19 11:10

为了补偿光子不足，制造商可能会增加曝光剂量，这又会延长光刻过程中停留的时间。然而，这种做法直接影响了生产效率，使得整个过程变得更慢，经济性降低。此外，随着几何尺寸的缩小以适应更小的技术节点，对更高剂量的需求也加剧，从而造...

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onsemi推出新一代SiC智能电力模块，助力降低能耗与系统成本
2025-3-18 11:34

近日，半导体技术公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能电力模块(IPM)，型号为SPM31。这款以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为基础的模块，凭借卓越的能效和功率密度，成为行业内的一...

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