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设计员 航空工业
甘肃省 兰州市 设计开发工程
  • 收藏了帖子 2024-1-17 12:38

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    从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFE ...
    来源:罗姆(ROHM) 标签: MOSFET SiC 电阻
  • 收藏了帖子 2024-1-17 12:38

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    1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。 IGBT通过电导率调制,向漂移层内注入作为 ...
    来源:罗姆(ROHM) 标签: 罗姆 MOSFET 逆变器
  • 关注了版块 2024-1-17 12:24

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