在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时,CMP技术应运而生,是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。传统的机械抛光和化学抛光去除速率均低至无法满足先进芯片量产需求,而结合了机械抛光和化学抛光各自长处的CMP技术则是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的抛光技术,在目前先进集成电路制造中被广泛应用。如果晶圆(芯片)制造过程中无法做到纳米级全局平坦化,既无法重复进行光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺,也无法将制程节点缩小至纳米级的先进领域,因此随着超大规模集成电路制造的线宽不断细小化而产生对平坦化的更高要求和需求,CMP在先进工艺制程中具有不可替代且越来越重要的作用。