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CMP工艺主管 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
江苏省 无锡市 技术支持
  • 平整度(DP)描述了从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化,具体是指对于某一台阶处,在完成CMP工艺之后这个位置硅片表面的平整程度。
    jt_rfid5
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  • 采用化学机械抛光(CMP)工艺,在半导体工业中已被广泛接受氧化物电介质和金属层平面化。使用它以确保多层芯片之间的互连是实现了介质材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP过程中,晶圆是当被载体面朝下按压时,绕轴旋转以及对着旋转抛光垫覆盖的载体膜。具有特定化学性质的硅溶胶泥浆(图1)。例如,由50 - 70纳米组成的磨料浆 熔融石英在水溶液中,浓度在8.5-11之间,在材料种去除机理中起着重要作用。
    华林科纳hlkn
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  • CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液(又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End Point)检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
    ruilian666
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  • 在晶圆制造材料中,CMP抛光材料占据了7%的市场。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。
    独爱72H
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  • "我国半导体产值占世界总产值的约五分之一,而且保持快速增长的态势。但是我国在许多关键材料方面近乎空白,使得我国半导体及其更尖端的行业存在巨大风险。目前我国半导体用CMP浆料对外依赖率为87.4%,也属于高度对外依赖的产品。抛光浆料作为CMP工艺的技术核心和价值核心,技术壁垒高、认证时间久,是我国必须发展自有技术和产业的产品。
    工程师
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  • CMP工艺技术浅析 2023-02-03 10:27
    在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时,CMP技术应运而生,是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。传统的机械抛光和化学抛光去除速率均低至无法满足先进芯片量产需求,而结合了机械抛光和化学抛光各自长处的CMP技术则是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的抛光技术,在目前先进集成电路制造中被广泛应用。如果晶圆(芯片)制造过程中无法做到纳米级全局平坦化,既无法重复进行光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺,也无法将制程节点缩小至纳米级的先进领域,因此随着超大规模集成电路制造的线宽不断细小化而产生对平坦化的更高要求和需求,CMP在先进工艺制程中具有不可替代且越来越重要的作用。
    FQPg_cetc45_wet
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