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北京市 海淀区 学术研究/学生
  • 关注了标签 2024-3-3 17:09

    TCAD

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  • 赞同了文章 2024-3-3 17:08
    对于速度饱和所引起的电流饱和情况,一般说来,当电场很强、载流子速度饱和之后,再进一步增大源-漏电压,也不会使电流增大。因此,这时的饱和电流原则上是与源-漏电压无关的。E-MOSFET的沟道夹断是指栅极电压大于阈值电压、出现了沟道之后,源-漏...
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