国产碳化硅上车首先是技术过硬,目前,多家国产企业的SiC MOSFET技术实力已经是实现领先。以爱仕特为例,据李润华介绍,爱仕特自主设计的第三代6英寸SiC MOSFET平面结构芯片的导通电阻最低可到12毫欧,单芯片最大电流可达120A。据了解,爱仕特拥有10多年的 SiC 器件与系统的设计和开发经验,可帮助客户降低技术门槛,助力设计人员在其新一代OBC 中采用出色的 SiC 器件。而且爱仕特提供 SiC 功率器件、SiC 系统和技术专长的丰富选择并形成组合拳,可快速开发出能在现场可靠运行的稳固耐用的设计拓扑。
钱先生
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