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江苏省 南京市 测试测量
  • 赞同了文章 2024-11-14 10:50
    除了其他关键的改进外,最近推出的1200V CoolSiC™ MOSFET,即M1H,还显示出了出色的稳定性,并降低了漂移现象的影响。...
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  • 关注了专栏 2024-11-14 10:49
  • 收藏了文章 2023-11-27 08:39
    垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应,如果把水平的沟道变为垂直沟道,从侧面控制沟道,就可以消除JFET效应。...
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    13514次阅读
    1条评论
  • 关注了版块 2022-9-20 13:17

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