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微雨问海棠

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发布了文章 2022-7-13 10:22

NP3403VR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3403VR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 2.5 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -30v, id = -3a RDS(上)(Typ) ...

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发布了文章 2022-7-13 10:14

NP3401YMR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401YMR采用先进的战壕提供卓越的RDS(ON)技术一般特征、低门充电和工作的栅极电压低至2.5V。本装置适用于作为负载开关或中压开关脉宽调制的应用程序。 VDS = -30 v, ID R = -4.2 DS(...

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发布了文章 2022-7-12 16:51

NP3401HR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401HR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至2.5V。这该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -4.5a RDS(上)(Typ) = ...

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发布了文章 2022-7-12 16:42

np3401mr - n30v p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401MR-N采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅充电和工作的栅极电压低至2.5V。本装置适用于作为负载开关或中压开关脉宽调制的应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -4.2a RDS(上...

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发布了文章 2022-7-12 16:37

NP3401MR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401MR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至2.5V。这该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -4.2a RDS(上)(Typ) = ...

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发布了文章 2022-7-12 10:17

NP3401MR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401MR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至2.5V。这该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -4.2a RDS(上)(Typ) = ...

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发布了文章 2022-7-12 10:11

NP3433EHR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3433EHR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至1.8V。这个设备适合用作负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -20v, id = -1a RDS(上)(Typ) = 29...

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发布了文章 2022-7-11 15:21

NP2301FVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述 NP2301FVR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -20v, id = -2.3a RDS(上)(Ty...

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发布了文章 2022-7-11 15:16

NP2301FHR 20V p通道增强模式MOSFET

描述 NP2301FHR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -20v, id = -3a RDS(上)(Typ)...

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发布了文章 2022-7-11 11:20

NP2301AJR 20V p通道增强模式MOSFET

描述 NP2301AJR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至1.8V。这个设备适合用作负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -20v, id = -1.4a RDS(上)(Typ) = ...

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发布了文章 2022-7-11 11:08

NP2301BVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述一般特征 NP2301BVR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。本装置适用于作为负载开关或在PWM的应用程序。 VDS = -20 v, ID R = -2.4 R D...

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发布了文章 2022-7-11 11:04

NP2301BMR 20V p通道增强模式MOSFET

描述 NP2301BMR采用了先进的沟槽技术提供卓越的RDS(ON) 一般特征，低栅极电荷和工作电压低至1.8V。这个设备适合用作负载开关或PWM 应用程序。 VDS = -20 v, ID R = -2.4 R DS(上)(Ty...

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发布了文章 2022-7-9 15:05

NP2301AVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述一般特征 NP2301AVR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 1.8 v。本装置适用于作为负载开关或在PWM的应用程序。 VDS = -20 v, ID R = -2.8 R D...

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发布了文章 2022-7-9 14:21

NP2301AMR 20V p通道增强模式MOSFET

描述 NP2301AMR采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至1.8V。这个设备适合用作负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -20v, id = -2.8a RDS(上)(Typ) = ...

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发布了文章 2022-7-9 11:47

NP3401VR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401VR采用了先进的堑壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和工作电压低至2.5V。这该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -4a RDS(上)(Typ) = 53...

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