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微雨问海棠

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发布了文章 2022-7-20 11:10

NP9P03G 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP9P03G采用了先进的沟槽技术设计为低栅极提供优良的RDS(ON) 电荷。它可以用于各种各样的应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -30a RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v ...

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发布了文章 2022-7-19 13:50

NP4407SR - j30v p通道增强模式MOSFET

描述 NP4407SR-J采用先进堑壕技术和设计，提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷。它可用于负载开关和电池保护的应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -12a RDS(上)(Typ) = 10.8Ω@VGS = ...

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发布了文章 2022-7-19 09:28

NP30P03D6 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP30P03D6采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用作为负载开关或PWM应用。一般特征 VDS = -30v, id = -30a RDS(上)(Typ) = 8 mΩ@VGS = -10 v RDS(...

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发布了文章 2022-7-19 09:05

NP45P03QR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP45P03QR采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用作为负载开关或PWM应用。一般特征 VDS = -30v, id = -45a RDS(上)(Typ) = 8.7Ω@VGS = -10 v RDS(...

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发布了文章 2022-7-18 17:11

NP4409SR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP4409SR采用先进的沟槽技术设计为低栅极提供优良的RDS(ON) 电荷。可用于负载开关和电池保护应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -15a RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -10 v...

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发布了文章 2022-7-18 14:59

NP50P03D6 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP50P03D6采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用作为负载开关或PWM应用。一般特征 VDS = -30v, id = -50a RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v RDS(...

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发布了文章 2022-7-18 14:45

NP3403MR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3403MR采用先进壕沟技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 2.5 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -30v, id = -2.6a RDS(上)(Typ)...

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发布了文章 2022-7-18 12:26

NP3403VR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3403VR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 2.5 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -30v, id = -3a RDS(上)(Typ) ...

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发布了文章 2022-7-18 11:39

NP3401YMR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401YMR采用先进的战壕提供卓越的RDS(ON)技术一般特征、低门充电和工作的栅极电压低至2.5V。本装置适用于作为负载开关或中压开关脉宽调制的应用程序。 VDS = -30 v, ID R = -4.2 DS(...

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发布了文章 2022-7-15 09:39

NP3401YMR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401YMR采用先进的战壕提供卓越的RDS(ON)技术一般特征、低门充电和工作的栅极电压低至2.5V。本装置适用于作为负载开关或中压开关脉宽调制的应用程序。 VDS = -30 v, ID R = -4.2 DS(...

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发布了文章 2022-7-14 15:11

NP3403VR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3403VR采用先进的战壕技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 2.5 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -30v, id = -3a RDS(上)(Typ) ...

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发布了文章 2022-7-14 15:04

NP3401YMR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3401YMR采用先进的战壕提供卓越的RDS(ON)技术一般特征、低门充电和工作的栅极电压低至2.5V。本装置适用于作为负载开关或中压开关脉宽调制的应用程序。 VDS = -30 v, ID R = -4.2 DS(...

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发布了文章 2022-7-13 16:19

NP4409SR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP4409SR采用先进的沟槽技术设计为低栅极提供优良的RDS(ON) 电荷。可用于负载开关和电池保护应用程序。一般特征 VDS = -30v, id = -15a RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -10 v...

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发布了文章 2022-7-13 11:18

NP50P03D6 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP50P03D6采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用作为负载开关或PWM应用。一般特征 VDS = -30v, id = -50a RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v RDS(...

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发布了文章 2022-7-13 11:13

NP3403MR 30V p通道增强模式MOSFET

描述 NP3403MR采用先进壕沟技术提供优良的RDS(ON)，低栅在极低电压的情况下进行充电和操作 2.5 v。该装置适用于负载开关或在PWM应用中。一般特征 VDS = -30v, id = -2.6a RDS(上)(Typ)...

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