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功率MOSFET基本结构：沟槽结构介绍
2023-8-28 10:10

垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。...

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功率MOSFET基本结构：平面结构
2023-6-5 15:12

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Sourc...

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开关电源功率MOSFET开关损耗的2个产生因素
2023-1-17 10:21

开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。...

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开关电源中控制EMI的方法分享
2023-1-6 11:16

开关电源中，功率器件高频开通、关断操作导致电流和电压的快速变化是产生EMI的主要原因。...

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DCDC变换器频率折返工作方式：逐渐降低频率折返及电流频率二级折返保护
2022-11-28 11:48

输出短路保护固定频率折返，折返工作频率高，输出短路保护效果会降低；折返工作频率低，系统甚至进入到非连续工作模式，虽然保护效果好，但有可能导致输出短路消除后输出电压无法恢复正常。...

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谷底电流限流保护方案
2022-11-28 11:45

为了滤除电流检测信号前沿尖峰，现在的峰值电流模式控制器都具有前沿消隐时间（Leading Edge Blanking LEB），这个设置会导致二个问题。...

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