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MRAM在存算一体上展现出的优势
2022-4-26 14:21

磁性随机存储器（MRAM）是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件，其核心结构由一个磁性隧道结和一个访问晶体管构成。MTJ 呈现“三明治”结构，两层磁性固定层和自由层之间夹着一层隧穿层。...

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使用AlN（氮化铝）成功实现晶体管操作
2022-4-26 11:09

在物理性能方面，AIN比碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有更小的损耗和更高的耐压，因此可以形成高压高效的电源电路。AlN具有6.0eV的“带隙”，即导带和价带之间的能量差，与硅(Si)的1.1eV、SiC的3.26e...

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