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  • 功率墙:将功率引入芯片并从芯片封装中提取热量变得越来越具有挑战性,因此我们必须开发改进的功率传输和冷却概念。...
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  • Chiplet 封装领域,目前呈现出百花齐放的局面。Chiplet 的核心是实现芯片间的高速互 联,同时兼顾多芯片互联后的重新布线。...
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  • 下一代无线通信的氮化镓功率放大器...
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  • 氮化铝的导热率较高,室温时理论导热率最高可达320W/(m·K),是氧化铝陶瓷的8~10倍,实际生产的热导率也可高达200W/(m·K),有利于LED中热量散发,提高LED性能;...
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  • 半导体器件制作工艺分为前道和后道工序,晶圆制造和测试被称为前道(Front End)工序,而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道(Back End)工序,前道和后道一般在不同的工厂分开处理。...
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  • MOSFET最早出现在大概上世纪60年代,首先出现在模拟电路的应用。功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起,在如今电力电子功率器件中,无疑成为了最重要的主角器件。...
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  • 由于研发是IC设计业的根本,所以近年IC设计业陆续进行结构性调薪,或大幅年度调薪以留才,之前业界口风也大多还是尽量维持正常人员招募,但进入第3季后半段,情势开始有所转变。...
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  • 晶圆级WLP微球植球机是高端IC封装的核心设备之一,晶圆上凸点(Bump)的制作是关键技术。阐述了WLP封装工艺流程,对三种晶圆级封装凸点制作技术进行了对比。分析了WLP微球植球机工作流程,并对其关键技术进行了研究,包括...
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  • 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似,主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。...
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